[發(fā)明專利]一種非晶硅薄膜的沉積方法及沉積設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910325601.2
• 申請(qǐng)日: 2019-04-22
• 公開（公告）號(hào): CN111826632A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹勇;王曉龍;陸鳴曄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/24
• 分類號(hào): C23C16/24;C23C16/02;C23C16/44
• 代理公司: 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞

1.一種非晶硅薄膜的沉積方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體晶圓片沉積前利用流體噴洗半導(dǎo)體晶圓片，所述流體的噴射壓力大于預(yù)設(shè)壓力值；

檢驗(yàn)噴洗處理后的半導(dǎo)體晶圓片的表面的顆粒，直到所述半導(dǎo)體晶圓片的表面的顆粒數(shù)量小于預(yù)設(shè)數(shù)量時(shí)，停止所述利用流體噴洗半導(dǎo)體晶圓片的操作；

清洗化學(xué)氣相沉積CVD機(jī)臺(tái)沉積腔體，并在所述沉積腔體中沉積預(yù)設(shè)厚度的非晶硅薄膜，進(jìn)行覆蓋保護(hù)；

將半導(dǎo)體晶圓片通過(guò)CVD機(jī)臺(tái)的傳送機(jī)構(gòu)，傳入所述沉積腔體進(jìn)行非晶硅薄膜沉積。

2.如權(quán)利要求1所述的非晶硅薄膜的沉積方法，其特征在于，在所述將半導(dǎo)體晶圓片通過(guò)CVD機(jī)臺(tái)的傳送機(jī)構(gòu)，傳入所述沉積腔體進(jìn)行非晶硅薄膜沉積的步驟之后還包括：

清洗CVD機(jī)臺(tái)沉積腔體，并在所述沉積腔體中沉積預(yù)設(shè)厚度的非晶硅薄膜，進(jìn)行覆蓋保護(hù)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的非晶硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體晶圓片沉積前利用流體噴洗半導(dǎo)體晶圓片的步驟包括：

在半導(dǎo)體晶圓片沉積前，利用位于半導(dǎo)體晶圓片的片表面上方的噴頭將清洗液噴灑到該半導(dǎo)體晶圓片的片表面，對(duì)半導(dǎo)體晶圓片的片表面進(jìn)行清洗。

4.如權(quán)利要求3所述的非晶硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述噴頭的噴嘴離半導(dǎo)體晶圓片距離在10～20mm，所述半導(dǎo)體晶圓片在噴洗時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為2000～4000rmp，以對(duì)半導(dǎo)體晶圓片的片表面進(jìn)行清洗。

5.如權(quán)利要求4所述的非晶硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)壓力值為15Mpa，所述流體的噴射壓力還小于25Mpa。

6.如權(quán)利要求5所述的非晶硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述顆粒的尺徑小于0.2um，所述預(yù)設(shè)數(shù)量為50顆。

7.如權(quán)利要求6所述的非晶硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述清洗CVD機(jī)臺(tái)沉積腔體的步驟包括：

使用氣體C₂F₆和O₂比例范圍在1:2～2:1之間，在1000～2500W的高功率和5～10mTorr壓力下，清洗CVD機(jī)臺(tái)沉積腔體10～30s。

8.如權(quán)利要求7所述的非晶硅薄膜的沉積方法，其特征在于，所述在所述沉積腔體中沉積預(yù)設(shè)厚度的非晶硅薄膜，進(jìn)行覆蓋保護(hù)的步驟包括：

在所述沉積腔體中沉積500～2000A厚度的非晶硅薄膜，覆蓋在腔體表面。

9.一種非晶硅薄膜的沉積設(shè)備，包括：

噴洗裝置，在半導(dǎo)體晶圓片沉積前利用流體噴洗半導(dǎo)體晶圓片，所述流體的噴射壓力大于預(yù)設(shè)壓力值；

檢驗(yàn)裝置，檢驗(yàn)噴洗處理后的半導(dǎo)體晶圓片的表面的顆粒，直到所述半導(dǎo)體晶圓片的表面的顆粒數(shù)量小于預(yù)設(shè)數(shù)量時(shí)，促使所述噴洗裝置停止所述利用流體噴洗半導(dǎo)體晶圓片的操作；

沉積裝置，清洗CVD機(jī)臺(tái)沉積腔體，并在所述沉積腔體中沉積預(yù)設(shè)厚度的非晶硅薄膜，進(jìn)行覆蓋保護(hù)；

傳送裝置，將半導(dǎo)體晶圓片通過(guò)CVD機(jī)臺(tái)傳入所述沉積腔體進(jìn)行非晶硅薄膜沉積。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的沉積設(shè)備，還包括，在半導(dǎo)體晶圓片沉積前，噴洗裝置利用位于半導(dǎo)體晶圓片的片表面上方的噴頭將清洗液噴灑到該半導(dǎo)體晶圓片的片表面，對(duì)半導(dǎo)體晶圓片的片表面進(jìn)行清洗。