[發明專利]孔型結構工藝質量的檢測方法、檢測裝置、存儲介質和處理器

有效

• 申請號: 201910324513.0
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN110189300B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 張利斌;韋亞一
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G06T7/00
• 分類號: G06T7/00;G06T7/13;G06T7/70
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉

1.一種孔型結構工藝質量的檢測方法，其特征在于，包括：

獲取晶圓中的孔型結構的俯視圖像；

識別所述俯視圖像中的所述孔型結構的邊緣位置；

根據所述邊緣位置提取所述孔型結構的特征，所述特征至少包括缺陷的位置，識別所述俯視圖像中的所述孔型結構的邊緣位置包括：

獲取所述孔型結構的第一中心的坐標；

根據所述第一中心的坐標獲取極坐標下的預定線段上的各點的灰度值，所述預定線段為以所述極坐標下的所述第一中心為一個端點的線段；

計算各灰度值與對應的標準灰度值之間的第一相關系數，得到最大第一相關系數，所述標準灰度值為理想孔型結構的邊緣灰度值或所述標準灰度值為多個不同孔型結構的邊緣灰度值的平均值；

確定所述最大第一相關系數對應的所述點所在的位置為基準邊緣位置；

根據標準邊緣灰度值分布以及所述基準邊緣位置，獲取所述孔型結構的邊緣位置。

2.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，在獲取晶圓中的孔型結構的俯視圖像之后，且在識別所述俯視圖像中所述孔型結構的邊緣位置之前，所述檢測方法還包括：

對所述俯視圖像進行分類，優選所述俯視圖像是由電子顯微鏡獲取的。

3.根據權利要求2所述的檢測方法，其特征在于，對所述俯視圖像分類包括：

按照所述孔型結構的排列方式對所述孔型結構進行分類，得到多類孔型結構；

對各類所述孔型結構按照尺寸進行分類。

4.根據權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述特征包括第一特征和第二特征，提取所述孔型結構的特征包括：

提取所述第一特征，所述第一特征包括直徑、圓形度和粗糙度；

提取所述第二特征，所述第二特征包括邊緣成像特征和所述缺陷的位置。

5.根據權利要求4所述的檢測方法，其特征在于，提取所述第一特征包括：

根據所述邊緣位置獲取第二中心的坐標；

根據所述第二中心的坐標以及所述邊緣位置獲取平均直徑；

根據所述第二中心的坐標以及所述邊緣位置，計算圓形度分布；

根據所述第二中心的坐標與所述邊緣位置，計算邊緣粗糙度分布，優選所述邊緣粗糙度分布通過功率譜密度方法計算得到或者通過統計法獲取得到。

6.根據權利要求4所述的檢測方法，其特征在于，提取所述第二特征包括：

獲取所述邊緣位置的灰度值與對應的所述標準灰度值的第二相關系數；

確定所述第二相關系數小于或者等于相關系數閾值的所述邊緣位置為邊緣分析位置；

根據所述邊緣分析位置獲取所述邊緣成像特征的參數；

根據所述最大第二相關系數小于所述相關系數閾值的位置確定所述缺陷的數量和長度。

7.根據權利要求6所述的檢測方法，其特征在于，所述相關系數閾值大于等于0.50且小于等于0.99。

8.一種孔型結構工藝質量的檢測裝置，其特征在于，包括：

獲取單元，用于獲取晶圓中的孔型結構的俯視圖像；

識別單元，用于識別所述俯視圖像中的所述孔型結構的邊緣位置；

提取單元，用于根據所述邊緣位置提取所述孔型結構的特征，

識別單元包括第一獲取模塊、第二獲取模塊、第一計算模塊、第一識別模塊和第二識別模塊，其中，所述第一獲取模塊用于獲取所述孔型結構的第一中心的坐標；所述第二獲取模塊用于根據所述第一中心的坐標獲取極坐標下的預定線段上的各點的灰度值，所述預定線段為以極坐標下的所述第一中心為一個端點的線段；所述第一計算模塊用于計算各灰度值與對應的標準灰度值之間的第一相關系數，得到多個第一相關系數，比較多個第一相關系數，得到最大第一相關系數，所述標準灰度值指理想孔型結構的邊緣灰度值或多個不同孔型結構的邊緣灰度值的平均值；所述第一識別模塊用于確定所述最大第一相關系數對應的點所在的位置為基準邊緣位置；所述第二識別模塊用于根據標準邊緣灰度值分布以及所述基準邊緣位置，獲取所述孔型結構邊緣位置。