[發明專利]微機電傳感器封裝結構及制造方法

在審

• 申請號: 201910324449.6
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN110054144A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 萬蔡辛
• 申請（專利權）人: 武漢耐普登科技有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;劉靜

1.一種微機電傳感器封裝結構，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板具有凹形結構；

第二基板，設置在所述第一基板上；

芯片，所述芯片設置在所述凹形結構中，所述芯片經由金屬線與所述第一基板電連接；

其中，所述凹形結構使所述第二基板與所述第一基板之間形成空腔，所述凹形結構的底面面積大于所述芯片的面積。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述凹形結構的側面、底面及所述第一基板的上表面，其中至少部分區域設置有第一金屬層。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述凹形結構的底面上設置有第一通孔。

4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一通孔與所述凹形結構形成貫穿所述第一基板上下表面的連通通道，所述第一金屬層通過所述連通通道延伸至所述第一基板的下表面，使所述第一基板的上表面與下表面電連接。

5.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于，所述第一基板還設置有第二通孔，所述第二通孔用于將所述第一基板的上表面與下表面電連接。

6.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片包括MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片、ASIC芯片均設置于所述凹形結構的底面，所述第一通孔位于所述MEMS芯片內側，所述MEMS芯片、ASIC芯片以及所述第一基板的上表面通過所述金屬線電連接。

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述第二基板與所述第一基板相鄰一側的至少部分區域設置有第二金屬層。

8.根據權利要求7所述的封裝結構，其特征在于，所述第一金屬層的部分區域設置有第一阻焊層，所述第二金屬層的部分區域設置有第二阻焊層，至少部分所述第二阻焊層的位置與部分所述第一阻焊層的位置相對應，

其中，所述第一阻焊層與第二阻焊層以及第二金屬層的厚度之和，不小于所述金屬線的線弧高度。

9.一種微機電傳感器封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：

制備第一基板拼板；

分別在所述第一基板拼板的多個凹形結構中貼裝芯片；

設置金屬線，分別將所述芯片與所述第一基板拼板電連接；

將所述第二基板拼板與所述第一基板拼板相連，形成半成品；

對半成品進行切割分離，以獲取多個獨立的微機電傳感器封裝結構；

其中，所述第一基板拼板與所述第二基板拼板相對應，所述第一基板拼板與所述第二基板拼板均包括多個微機電傳感器單元。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二基板拼板還包括阻容元件，在所述第二基板與所述第一基板連接前，將所述阻容元件貼裝于所述第二基板拼板上，并對至少部分所述芯片進行封膠處理。

11.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板相鄰一側的部分區域設置有第一金屬層，所述第一金屬層的部分區域設置有第一阻焊層；所述第二基板與所述第一基板相鄰的一側設置有第二金屬層，所述第二金屬層的部分區域設置有第二阻焊層；所述第一阻焊層與第二阻焊層以及第二金屬層的厚度之和，不小于所述金屬線的線弧高度。

12.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板之間通過連接材料相連接，所述連接材料包括錫膏、導電膠、絕緣膠中的至少一種。

13.根據權利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述連接材料為導電材料，在完成機械連接的同時設置電氣連接。