[發明專利]數據儲存裝置以及非揮發式存儲器控制方法有效
| 申請號: | 201910323781.0 | 申請日: | 2019-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN110888591B | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發明(設計)人: | 林婷涵;許哲瑋 | 申請(專利權)人: | 慧榮科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳亮 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數據 儲存 裝置 以及 發式 存儲器 控制 方法 | ||
本發明涉及非揮發式存儲器的高效控制技術,尤其涉及數據儲存裝置以及非揮發式存儲器控制方法。本發明的數據儲存裝置包括一非揮發式存儲器以及一控制器。該控制器自該非揮發式存儲器的多個閑置區塊配置一主動區塊填寫一主機要求的寫入數據。該控制器在這些閑置區塊的數量小于一臨界數量時,以該主動區塊為該來源區塊的有效數據的搬移目的地。該控制器在一第二來源區塊符合一瀕損條件時,以該主動區塊為該第二來源區塊的有效數據的搬移目的地。
技術領域
本發明有關于非揮發式存儲器的控制。
背景技術
非揮發式存儲器有多種形式─例如,快閃存儲器(flash?memory)、磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive?RAM)、鐵電隨機存取存儲器(Ferroelectric?RAM)、電阻式隨機存取存儲器(Resistive?RAM)、自旋轉移力矩隨機存取存儲器(Spin?Transfer?Torque-RAM,STT-RAM)…等,用于長時間數據保存,可做為儲存媒體實現一數據儲存裝置。
非揮發式存儲器通常有其特殊的儲存特性。本技術領域需要相應非揮發式存儲器的儲存特性發展相應的控制技術。
發明內容
根據本案本發明一種實施方式所實現的一數據儲存裝置包括一非揮發式存儲器以及一控制器。該控制器自該非揮發式存儲器的多個閑置區塊配置一主動區塊填寫一主機要求的寫入數據。該控制器在這些閑置區塊的數量小于一臨界數量時,以該主動區塊為該來源區塊的有效數據的搬移目的地。該控制器在一第二來源區塊符合一瀕損條件時,以該主動區塊為該第二來源區塊的有效數據的搬移目的地。
一種實施方式中,該控制器令一來源區塊的有效數據完全搬移到該主動區塊后,方允許另一來源區塊的有效數據搬移到該主動區塊。
一種實施方式中,該控制器以多個批次將一來源區塊的有效數據搬移到該主動區塊,并于不同批次間允許該主機發出的寫入數據填入該主動區塊。
一種實施方式中,該控制器估算一來源區塊的有效數據量以及該主動區塊的閑置空間之間的一比例,并根據該比例設定各批次搬移的有效數據量。根據該比例,該控制器還可設定兩個批次之間允許該主機填入該主動區塊的寫入數據量。
一種實施方式中,該控制器估算一來源區塊的有效數據量以及該主機要求的寫入數據量之間的一比例,并根據該比例設定各批次搬移的有效數據量。
一種實施方式中,滿足該瀕損條件的該第二來源區塊為錯誤更正失效。
一種實施方式中,滿足該瀕損條件的該第二來源區塊是做預防性搬移。
一種實施方式中,滿足該瀕損條件的該第二來源區塊是做損耗平均搬移。
一種實施方式中,該控制器將一來源區塊的有效數據全數搬移到該主動區塊后,是在該主動區塊完成結尾寫入前釋出該來源區塊為閑置區塊。
一種實施方式中,該控制器操作一旗標。該控制器在一來源區塊的有效數據全數搬移到該主動區塊后,方以該旗標標示該主動區塊允許保存其他來源區塊的有效數據。
以上控制器對非揮發式存儲器的操作也可以由其他結構實現。本發明還可以前述概念實現非揮發式存儲器的控制方法,包括:根據一主機的要求操作一非揮發式存儲器;自該非揮發式存儲器的多個閑置區塊配置一主動區塊填寫該主機要求的寫入數據;在這些閑置區塊的數量小于一臨界數量時,以該主動區塊為一第一來源區塊的有效數據的搬移目的地;且在一第二來源區塊符合一瀕損條件時,以該主動區塊為該第二來源區塊的有效數據的搬移目的地。
下文特舉實施例,并配合所附圖示,詳細說明本發明內容。
附圖說明
圖1根據本發明一種實施方式圖解數據儲存裝置100;以及
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