[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910323645.1 | 申請日: | 2019-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN110112140A | 公開(公告)日: | 2019-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉曉偉 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 防反光層 顯示面板 陣列基板 金屬走線層 光伏器件 金屬走線 反射率 制作 強光 續(xù)航能力 環(huán)境光 顯示面 眩光 反射 遮蓋 背離 發(fā)電 覆蓋 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括
陣列基板,所述陣列基板包括
基板,所述基板上設(shè)有一顯示面;
至少一金屬走線層;以及,
防反光層,設(shè)于所述基板上,所述金屬走線層設(shè)于所述防反光層背離所述顯示面的一側(cè),所述防反光層用以遮蓋至少一金屬走線層;其中,所述防反光層為光伏器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述金屬走線包括柵極走線層;
所述陣列基板還包括
緩沖層,設(shè)于所述基板上且覆蓋所述防反光層;所述柵極走線層設(shè)于所述緩沖層上且正對于所述防反光層;
絕緣層,覆于所述柵極走線層上;
有源層,設(shè)于所述絕緣層上,源漏極走線層設(shè)于所述絕緣層上且電性連接至所述有源層;
平坦層,設(shè)于所述絕緣層上且覆蓋所述有緣層和所述源漏極走線層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述防反光層包括
N型半導(dǎo)體層,設(shè)于所述基板上;和
P型半導(dǎo)體層,設(shè)于所述N型半導(dǎo)體層上,所述柵極走線層設(shè)于所述P型半導(dǎo)體層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述金屬走線包括柵極走線層;
所述陣列基板還包括
基板,所述防反光層設(shè)于所述基板的一面,
所述柵極走線層設(shè)于所述玻璃基板的另一面上且正對于所述防反光層;
柵極絕緣層,覆于所述柵極走線層上;
有源層,設(shè)于所述柵極絕緣層上,源漏極走線層設(shè)于所述柵極絕緣層上且電性連接至所述有源層;
平坦層,設(shè)于所述絕緣層上且覆蓋所述有緣層和所述源漏極走線層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述防反光層包括
N型半導(dǎo)體層,設(shè)于所述基板上;
P型半導(dǎo)體層,設(shè)于所述N型半導(dǎo)體層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括
玻璃基板;以及
彩膜基板,設(shè)于所述玻璃基板和所述陣列基板之間。
7.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟
陣列基板制作步驟,包括
提供一基板,所述基板上有一顯示面;
在所述基板上制備防反光層,其中,所述防反光層為光伏器件;
在所述防反光層背對所述顯示面一側(cè)制作至少一金屬走線層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述陣列基板制作步驟還包括
在所述金屬走線層上形成絕緣層;
在所述絕緣層上形成有源層;
在所述絕緣層上形成源漏級走線層,其中,所述源漏級走線層覆蓋部分所述有源層,所述有源層被所述源漏級走線層覆蓋的部分與所述源漏級走線層電性連接;
在所述絕緣層上形成平坦層,所述平坦層覆蓋所述有源層和所述源漏級走線層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,
在所述陣列基板制作步驟中
通過所述掩模板在所述基板背對所述顯示面一側(cè)形成N型半導(dǎo)體層,通過所述掩模板在所述N型半導(dǎo)體層上形成P型半導(dǎo)體層,所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層形成所述防反光層;
在所述防反光層上形成緩沖層,所述緩沖層覆蓋所述防反光層;
通過所述柵極掩膜板在所述緩沖層正對所述防反光層上形成所述金屬走線層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,在所述陣列基板制作步驟中
通過所述掩模板在所述基板的所述顯示面一側(cè)形成N型半導(dǎo)體層,通過所述掩模板在所述N型半導(dǎo)體層上形成P型半導(dǎo)體層,所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層形成所述防反光層;
通過所述柵極掩膜板在所述基板背對所述顯示面一側(cè)上形成所述金屬走線層,其中,所述金屬走線層正對所述防反光層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





