[發明專利]存儲元件的制造方法

有效

• 申請號: 201910323101.5
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN111834301B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 樸哲秀;陳明堂;柯順祥
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種存儲元件的制造方法，包括：

在基底中形成多個隔離結構，以將所述基底分隔成多個有源區；

在所述基底中形成多個字線組，所述字線組沿著Y方向延伸并穿過所述隔離結構與所述有源區；

在所述基底上形成多個位線結構，所述位線結構沿著X方向延伸并橫跨所述字線組；

在所述位線結構之間的所述基底上形成第一介電層；

在所述第一介電層中形成多個第一溝槽，其分別對應所述字線組；

將第二介電層填入所述第一溝槽中；

移除部分所述第一介電層，使得所述第一介電層的頂面低于所述第二介電層的頂面；

形成第一掩膜層，以覆蓋所述第一介電層的所述頂面與所述第二介電層的所述頂面；

以所述第一掩膜層為掩膜，進行第一蝕刻工藝，以于所述第一介電層中形成多個第二溝槽；

將第三介電層填入所述第二溝槽中；

移除所述第一介電層，以于所述第二介電層與所述第三介電層之間形成多個接觸窗開口；以及

將導體材料填入所述接觸窗開口中。

2.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其中所述第一掩膜層的頂面具有多個第一凹口，其對應于所述隔離結構。

3.根據權利要求2所述的存儲元件的制造方法，還包括在所述第一掩膜層上形成第二掩膜層，其中所述第二掩膜層填入所述第一凹口中，使得所述第二掩膜層的頂面處形成多個第二凹口。

4.根據權利要求3所述的存儲元件的制造方法，其中各所述第二凹口的底部寬度大于其頂部寬度。

5.根據權利要求3所述的存儲元件的制造方法，其中位于所述第一介電層上的所述第二掩膜層具有第一厚度，位于所述第二介電層上的所述第二掩膜層具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

6.根據權利要求3所述的存儲元件的制造方法，其中所述第一掩膜層包括超低溫氧化物、原子層氧化物或其組合，所述第二掩膜層包括氮化物。

7.根據權利要求3所述的存儲元件的制造方法，其中所述第一蝕刻工藝對所述第一掩膜層的蝕刻速率大于對所述第二掩膜層的蝕刻速率。

8.根據權利要求3所述的存儲元件的制造方法，其中所述第一蝕刻工藝對所述第一介電層的蝕刻速率大于對所述第二掩膜層的蝕刻速率。

9.根據權利要求3所述的存儲元件的制造方法，其中所述移除所述第一介電層以形成所述接觸窗開口的步驟包括進行第二蝕刻工藝，其包括干式蝕刻工藝、濕式蝕刻工藝或其組合。

10.根據權利要求9所述的存儲元件的制造方法，其中所述第二蝕刻工藝對所述第一介電層的蝕刻速率大于對所述第二介電層、所述第三介電層的蝕刻速率。

11.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其中所述第一介電層的材料包括旋涂式介電材料，所述第二介電層包括氮化物，所述第三介電層包括氮化物。

12.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其中將所述導體材料填入所述接觸窗開口中之后，所述方法還包括：

回蝕所述導體材料；

在所述導體材料上形成金屬硅化物層；以及

在所述金屬硅化物層上形成金屬層。

13.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，還包括在所述導體材料上形成多個電容器，其中所述電容器中的一者包括：下電極、上電極以及配置在所述上電極與所述下電極之間的介電層。