[發(fā)明專利]顯示裝置及該顯示裝置的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910322604.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110556485A | 公開(公告)日: | 2019-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸種熙;金基泰;金真錫;李鳳源 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 11286 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 李盛泉;孫昌浩 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 顯示元件 第二導(dǎo)電層 第一導(dǎo)電層 第一電極 導(dǎo)電層 電連接 基板 薄膜封裝層 平坦化層 顯示裝置 依次層疊 凸出 夾設(shè) 密封 配備 外部 | ||
1.一種顯示裝置,其中,包括:
基板;
顯示部,布置于所述基板上,且配備有薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管電連接的顯示元件和夾設(shè)于所述薄膜晶體管與所述顯示元件之間的平坦化層;以及
薄膜封裝層,密封所述顯示部,
其中,所述顯示元件包括與所述薄膜晶體管電連接的第一電極,所述第一電極包括依次層疊的第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層,
所述第二導(dǎo)電層的端部相比于所述第一導(dǎo)電層的端部及所述第三導(dǎo)電層的端部更向外部凸出。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第一導(dǎo)電層位于所述第三導(dǎo)電層下部,
所述第二導(dǎo)電層的面積大于所述第一導(dǎo)電層的面積及所述第三導(dǎo)電層的面積,所述第一導(dǎo)電層的面積大于所述第三導(dǎo)電層的面積。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第一導(dǎo)電層及所述第三導(dǎo)電層包含相同的材質(zhì)。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,
所述第一導(dǎo)電層及所述第三導(dǎo)電層包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅銦錫、氧化鋅鎵及氧化銦鎵鋅中至少一種,
所述第二導(dǎo)電層包含銀。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述顯示部包括顯示區(qū)域以及形成于所述顯示區(qū)域的外圍的非顯示區(qū)域,
所述平坦化層包括將所述平坦化層分割為中央部及外圍部的分割區(qū)域,并且所述中央部的面積大于所述顯示區(qū)域的面積。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,
所述顯示部還包括布置于所述非顯示區(qū)域的電壓線,
所述電壓線包括包含鈦的第一層、包含鋁的第二層以及包含鈦的第三層。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中,
所述電壓線包括被施加互不相同的電壓的第一電壓線及第二電壓線,
所述第一電壓線包括:第一主電壓線,以對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)域的一側(cè)的方式布置;以及第一連接部,從所述第一主電壓線沿第一方向凸出,進(jìn)而橫穿所述分割區(qū)域,
所述第二電壓線包括:第二主電壓線,包圍所述第一主電壓線的兩端部和所述顯示區(qū)域的剩余區(qū)域;以及第二連接部,從所述第二主電壓線沿所述第一方向凸出,進(jìn)而橫穿所述分割區(qū)域,
所述第一連接部及所述第二連接部與焊盤部連接。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中,
所述第一連接部及所述第二連接部各自的上表面及側(cè)面在所述分割區(qū)域與所述薄膜封裝層直接相接。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中,
所述薄膜封裝層包括依次層疊的第一無機(jī)膜、有機(jī)膜及第二無機(jī)膜,
所述第一無機(jī)膜在所述分割區(qū)域中與所述第一連接部及所述第二連接部所分別包括的所述第二層的側(cè)面直接相接。
10.一種顯示裝置的制造方法,其中,包括如下步驟:
在基板上形成薄膜晶體管;
在所述基板上形成覆蓋所述薄膜晶體管的平坦化層;以及
在所述平坦化層上形成與所述薄膜晶體管連接的第一電極,
其中,所述第一電極通過在所述平坦化層上依次層疊第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層之后依次分別對(duì)所述第三導(dǎo)電層、所述第二導(dǎo)電層及所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化而形成,
進(jìn)行圖案化后的所述第二導(dǎo)電層的面積形成為大于進(jìn)行圖案化后的所述第一導(dǎo)電層的面積及進(jìn)行圖案化后的所述第三導(dǎo)電層的面積。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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