[發明專利]一種與Si工藝兼容的Nix

有效

• 申請號: 201910322519.4
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN111834467B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 張衛;李曉茜;陳金鑫;盧紅亮;黃偉
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/34
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種與Si工藝兼容的Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二極管的制備方法，用于在標記片上形成肖特基電極以及歐姆電極從而得到肖特基二極管，該標記片的工作面具有相互鄰接并且用于形成所述肖特基電極的第一區域和第二區域以及與所述第一區域鄰接并且與該第一區域配合形成所述歐姆電極的第三區域，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，將Ga₂O₃薄膜覆蓋在所述第一區域上，然后將所述Ga₂O₃薄膜的表面以及所述工作面全部涂膠；

步驟二，在所述Ga₂O₃薄膜的表面以及所述工作面光刻去膠得到陽極窗口，所述陽極窗口的一部分覆蓋所述Ga₂O₃薄膜的邊緣部分，另一部分覆蓋所述第二區域；

步驟三，在所述陽極窗口表面濺射沉積硅形成第一預定厚度的硅層，然后在所述硅層上用電子束蒸發形成第二預定厚度的鎳層；

步驟四，將所述標記片去膠；

步驟五，將去膠后的所述標記片在惰性氣氛、預定溫度下快速退火預定時間，從而在所述陽極窗口處形成Ni_xSi_y硅化物，該Ni_xSi_y硅化物與所述Ga₂O₃構成具有Ni_xSi_y/Ga₂O₃的所述肖特基電極；

步驟六，在所述第一區域以及所述第三區域制作具有所述Ga₂O₃的所述歐姆電極，從而得到Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二極管；

其中，所述步驟三中所述第一預定厚度為20nm～100nm，所述第二預定厚度為40nm～200nm，所述第一預定厚度小于所述第二預定厚度，

所述步驟五中的所述預定溫度為400℃～650℃，所述預定時間為40s～60s。

2.根據權利要求1所述的與Si工藝兼容的Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二極管的制備方法，其特征在于：

其中，具有所述Ga₂O₃的所述歐姆電極的制作方法如下：

在具有所述Ni_xSi_y/Ga₂O₃的所述肖特基電極的表面以及所述工作面上全部涂膠，在所述Ga₂O₃薄膜的表面以及所述工作面光刻去膠得到陰極窗口，在該陰極窗口處制作具有Ti/Al/Ni/Au合金的具有所述Ga₂O₃的所述歐姆電極，

所述陰極窗口一部分覆蓋所述Ga₂O₃薄膜的邊緣部分，另一部分覆蓋所述第三區域。

3.根據權利要求1所述的與Si工藝兼容的Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二極管的制備方法，其特征在于：

其中，所述標記片的材質為藍寶石、Si、Ge、GaN、SiO₂/Si、Al₂O₃/Si、HfO₂/Si、AlN/Si、AlON/Si或ZrO₂/Si中的任意一種。

4.根據權利要求1或2所述的與Si工藝兼容的Ni_xSi_y/Ga₂O₃肖特基二極管的制備方法，其特征在于：

其中，所述光刻為電子束光刻或紫外光刻。