[發明專利]非對稱微盤腔邊發射半導體激光器陣列疊陣

有效

• 申請號: 201910322106.6
• 申請日: 2019-04-22
• 公開（公告）號: CN110011179B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 晏長嶺;楊靜航;劉云;馮源;郝永芹;逢超
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/10;H01S5/40;H01S5/022
• 代理公司: 長春眾邦菁華知識產權代理有限公司 22214
• 代理人: 王丹陽

1.一種非對稱微盤腔邊發射半導體激光器陣列疊陣，其特征在于，自熱沉(1)起由下而上若干陣列基片(2)、微通道散熱板(3)交替疊放，最上方為陣列基片(2)；微通道散熱板(3)內部布設冷卻液微通道；陣列基片(2)的數量為3～5個；陣列基片(2)由襯底(4)及在襯底(4)上通過刻蝕制作的、以陣列方式排列的若干非對稱微盤腔(5)構成，所述陣列方式是指若干非對稱微盤腔(5)按相同幾何中心距分別一字排列成前排激光器線列、后排激光器線列，所述各個非對稱微盤腔(5)出光方向相同且朝向前方，后排激光器線列中的非對稱微盤腔(5)出射光光軸與前排激光器線列中最接近的非對稱微盤腔(5)的幾何中心相距二分之一幾何中心距。

2.根據權利要求1所述的非對稱微盤腔邊發射半導體激光器陣列疊陣，其特征在于，所述非對稱微盤腔(5)為橢圓形微盤腔或者蝸線形微盤腔。

3.根據權利要求1所述的非對稱微盤腔邊發射半導體激光器陣列疊陣，其特征在于，陣列基片(2)中的前排激光器線列、后排激光器線列中的非對稱微盤腔(5)數量相同，為4～19個。

4.根據權利要求1所述的非對稱微盤腔邊發射半導體激光器陣列疊陣，其特征在于，后排激光器線列相對于前排激光器線列向右或者向左錯開所述二分之一幾何中心距，陣列基片(2)因此區分為向右錯開陣列基片、向左錯開陣列基片兩種；向右錯開陣列基片、向左錯開陣列基片變換疊放構成所述非對稱微盤腔邊發射半導體激光器陣列疊陣。

5.根據權利要求1所述的非對稱微盤腔邊發射半導體激光器陣列疊陣，其特征在于，當非對稱微盤腔(5)為蝸線形微盤腔，在每個蝸線形微盤腔后方布設一個凹柱面反射鏡(6)，凹柱面反射鏡(6)與蝸線形微盤腔同時在襯底(4)上制作，凹柱面反射鏡(6)與蝸線形微盤腔高度相同，凹柱面反射鏡(6)上表面絕緣。