[發明專利]一種發光器件及其制作方法、和顯示面板在審
| 申請號: | 201910321801.0 | 申請日: | 2019-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN110120406A | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發明(設計)人: | 王坤 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基色 光子 像素 像素單元 發光器件 顯示面板 邊緣鋸齒 間隔設置 像素組合 陣列排布 子像素 分辨率 彩邊 相等 制作 申請 | ||
本申請涉及一種發光器件及其制作方法、和顯示面板,該發光器件包括呈陣列排布的多個像素單元,像素單元包括間隔設置的第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素,在每一像素單元中,第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素組合后呈圓形,且第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素的面積不完全相等。通過這種方式,能夠避免由于不同像素單元之間共用子像素而造成分辨率偏低、彩邊和邊緣鋸齒化的問題。
【技術領域】
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種發光器件及其制作方法、和顯示面板。
【背景技術】
在有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)全彩化方法中,紅(R)、綠(G)、藍(B)三基色像素并置(side-by-side Pixelation)是發展最成熟的技術。在此基礎上,為了解決紅綠藍有機發光材料的壽命與效率存在差異的問題,一般采用pentile型子像素排列方式,也即對應不同的子像素設置不同的開口率,通常藍色子像素和紅色子像素擁有最大的開口率,以彌補其壽命和效率的短板。
但是,在實際顯示圖像時,pentile排列的一個像素點會“借”用與其相鄰的像素點的另一種顏色來構成三基色,以共同實現白色顯示,這會導致分辨率偏低、彩邊以及邊緣鋸齒化的問題。
【發明內容】
本申請的目的在于提供一種發光器件及其制作方法、和顯示面板,以避免由于不同像素單元之間共用子像素而造成分辨率偏低、彩邊和邊緣鋸齒化的問題。
為了解決上述問題,本申請實施例提供了一種發光器件,該發光器件包括:呈陣列排布的多個像素單元,像素單元包括間隔設置的第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素,在每一像素單元中,第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素組合后呈圓形,且第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素的面積不完全相等。
其中,第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素的形狀均為扇形。
其中,第一基色光子像素為紅光子像素,第二基色光子像素為綠光子像素,第三基色光子像素為藍光子像素,藍光子像素的面積大于紅光子像素的面積,紅光子像素的面積大于綠光子像素的面積。
其中,像素單元還包括至少一個補償光子像素,在每一像素單元中,第一基色光子像素、第二基色光子像素和第三基色光子像素構成一個基色光子像素組,補償光子像素位于基色光子像素組的周邊區域。
其中,像素單元還包括至少兩個補償光子像素,至少兩個補償光子像素均勻分布于基色光子像素組的周邊區域。
其中,補償光子像素的形狀為菱形、圓形、橢圓形、正方形、矩形或多邊形。
為了解決上述問題,本申請實施例提供了一種發光器件的制作方法,該發光器件的制作方法包括:提供基板,基板包括呈陣列排布的多個像素區域,像素區域包括間隔設置的第一基色光子像素區域、第二基色光子像素區域和第三基色光子像素區域,在每一像素區域中,第一基色光子像素區域、第二基色光子像素區域和第三基色光子像素區域組合后呈圓形,且第一基色光子像素區域、第二基色光子像素區域和第三基色光子像素區域的面積不完全相等;在像素區域上形成像素單元,像素單元包括位于第一基色光子像素區域上的第一基色光子像素、位于第二基色光子像素區域上的第二基色光子像素、以及位于第三基色光子像素區域上的第三基色光子像素。
其中,在像素區域上形成像素單元的步驟,具體包括:在第一基色光子像素區域上形成第一基色光子像素;在第二基色光子像素區域上形成第二基色光子像素;在第三基色光子像素區域上形成第三基色光子像素。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電半導體顯示技術有限公司,未經武漢華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910321801.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





