[發明專利]一種清香型藍寶石粗拋光液及其制備方法

有效

• 申請號: 201910320940.1
• 申請日: 2019-04-21
• 公開（公告）號: CN109913134B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 左海珍
• 申請（專利權）人: 東莞市碩豐研磨科技有限公司
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02
• 代理公司: 北京華仁聯合知識產權代理有限公司 11588
• 代理人: 王倩倩

本發明提供了一種清香型藍寶石粗拋光液，在清香型粗拋光液中含有α?氧化鋁磨料介質、氧化劑、防腐劑、Ti離子絡合劑、Fe離子絡合劑、去離子水和pH調節劑，其中所述α?氧化鋁顆粒由高嶺石提純獲得，所述氧化鋁顆粒的純度大于99wt.%、莫氏硬度9.1、顆粒尺寸集中于0.5±0.25μm，在2?20分鐘內，對藍寶石的平均移除量達到40?80μm，且在拋光過程中，清香四溢。

技術領域

本發明涉及一種氧化鋁拋光液及其制備方法，更確切地說，是關于一種通過高嶺石提純獲得α-氧化鋁，并以此為原料制備清香型藍寶石粗拋光液及其制備方法。

技術背景

隨著光電技術的飛速發展，LED光電產品材料需求量的日益增加，當前有許多襯底材料能用于GaN晶片LED，但是真正能用于實現商業化的襯底材料目前還比較少，一般只有兩種，即藍寶石和SiC，目前還沒有第三種襯底用于GaN的LED的商業化生產。SiC是一類非常重要的襯底材料，同藍寶石相比，SiC屬于低阻材料，可以制作電極，其晶格常數和材料的熱膨脹系數與GaN 材料更為接近，并且易于溶解，且本身具有藍光發光特性，但SiC材料也有其缺點，主要是其熱膨脹系數與GaN相差較大，容易導致外延GaN層的裂紋，不適合大量使用，價格相對昂貴。藍寶石襯底是目前使用最好也是最為普遍的一種襯底材料。

藍寶石晶體(α-A1₂O₃)是一種耐高溫、耐磨損、抗腐蝕和透光波段寬的優質光功能材料，它具有與Ⅲ族氮化物相同的六方密堆積型，是由物理、機械和化學特性三者獨特組合的優良材料。在光通信領域，藍寶石晶體不僅用作短波長有源器件，還用作偏振光的無源器件在微電子領域，藍寶石可以作為新一代半導體襯底SOI(絕緣層上)的襯底，由于藍寶石優良的阻擋作用，能夠減小晶體管的電容效應，其運算速度可變得更快，功耗變得更低。在光電子領域，藍寶石晶體是制造GaN發光二極管(LED)的首選襯底材料。在藍寶石襯底上生長薄膜之前，首先要去除切片時產生的劃傷、凹坑、應力區等，然后要降低表面粗糙度。表面的粗糙度越大，表面的懸掛鍵越多，越容易吸附其他雜質，并且與上面的薄膜有較差的晶格匹配。傳統的純機械拋光是用拋光粉不斷地研磨被拋光材料的表面，容易產生較深的劃傷。而CMP（化學機械拋光）是在化學作用的環境下，通過機械作用將化學反應物去除掉，提高了材料的去除速率，同時也得到良好的表面形態。