[發明專利]遠程模塊化高頻源在審
| 申請號： | 201910320330.1 | 申請日： | 2019-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN110391128A | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發明（設計）人： | 汗赫·阮;蔡泰正;菲利普·艾倫·克勞斯 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理腔室 放大模塊 施加器 高頻發射模塊 振蕩器模塊 處理工具 高頻發射 介電窗 模塊化 吸盤 遠程模塊 高頻源 基板 支撐 | ||
1.一種處理工具，包括：
處理腔室；
吸盤，所述吸盤用于支撐所述處理腔室中的基板；
介電窗，所述介電窗形成所述處理腔室的一部分；和
模塊化高頻發射源，所述模塊化高頻發射源包括：
多個高頻發射模塊，其中每個高頻發射模塊包括：
振蕩器模塊；
放大模塊，其中所述放大模塊耦接到所述振蕩器模塊；和
施加器，其中所述施加器耦接到所述放大模塊，并且其中所述施加器定位在所述介電窗附近。
2.如權利要求1所述的處理工具，其中所述施加器擱置在所述介電窗的表面上。
3.如權利要求1所述的處理工具，其中所述施加器設置在形成于所述介電窗中的空腔中。
4.如權利要求1所述的處理工具，其中所述施加器穿過所述介電窗。
5.如權利要求1所述的處理工具，其中所述介電窗是非平面的。
6.如權利要求5所述的處理工具，其中所述介電窗是圓頂形的。
7.如權利要求1所述的處理工具，其中所述介電窗形成前室的一部分，所述前室流體地耦接到所述處理腔室。
8.如權利要求1所述的處理工具，所述處理工具進一步包括：
第一物理分離器，所述第一物理分離器將所述處理腔室的等離子體部分與所述處理腔室的主要處理部分分離。
9.如權利要求8所述的處理工具，所述處理工具進一步包括第二物理分離器。
10.如權利要求9所述的處理工具，其中所述第一物理分離器或所述第二物理分離器、或所述第一物理分離器和所述第二物理分離器連接到電源。
11.如權利要求10所述的處理工具，其中所述電源包括RF電源、脈沖RF電源、DC電源或脈沖DC電源中的一個或多個。
12.如權利要求8所述的處理工具，其中第一氣體管線將第一氣體或氣體混合物供給到所述處理腔室的所述等離子體部分中，并且其中第二氣體管線將第二氣體或氣體混合物供給到所述處理腔室的所述主要處理部分中。
13.如權利要求8所述的處理工具，其中所述物理分離器包括多孔板、絲網或柵格中的一個或多個。
14.如權利要求13所述的處理工具，其中所述物理分離器包括金屬、絕緣體或半導體中的一種或多種。
15.一種處理工具，包括：
處理腔室；
吸盤，所述吸盤用于支撐所述處理腔室中的基板；
介電窗，所述介電窗形成所述處理腔室的一部分；和
模塊化高頻發射源，所述模塊化高頻發射源包括：
多個高頻發射模塊，其中每個高頻發射模塊包括：
振蕩器模塊，其中所述振蕩器模塊包括：
電壓控制電路；和
電壓控制振蕩器，其中來自所述電壓控制電路的輸出電壓驅動所述電壓控制振蕩器中的振蕩，以產生輸出高頻電磁輻射；
放大模塊，其中所述放大模塊耦接到所述振蕩器模塊，其中所述放大模塊放大來自所述電壓控制振蕩器的輸出高頻電磁輻射；和
施加器，其中所述施加器耦接到所述放大模塊，并且其中所述施加器定位在所述介電窗附近。
16.如權利要求15所述的處理工具，其中所述施加器在所述介電窗上、在所述介電窗內或穿過所述介電窗。
17.如權利要求15所述的處理工具，所述處理工具進一步包括物理分離器。
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