[發明專利]相控陣模塊化高頻源在審
| 申請號： | 201910319705.2 | 申請日： | 2019-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN110391126A | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發明（設計）人： | 菲利普·艾倫·克勞斯;蔡泰正;克里斯蒂安·阿莫米諾;德米特里·A·迪爾諾 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 振蕩器模塊 放大模塊 耦合到 高頻發射模塊 相位控制器 高頻發射 模塊化 施加器 電壓控制振蕩器 電壓控制電路 相控陣模塊 高頻源 可通信 | ||
1.一種模塊化高頻發射源，所述模塊化高頻發射源包括：
多個高頻發射模塊，其中每個高頻發射模塊包括：
振蕩器模塊，其中每個振蕩器模塊包括：
電壓控制電路；和
電壓控制振蕩器；
放大模塊，其中所述放大模塊耦合所述振蕩器模塊；
施加器，其中所述施加器耦合到所述放大模塊；和
相位控制器，所述相位控制器可通信地耦合到各個振蕩器模塊。
2.根據權利要求1所述的模塊化高頻發射源，其中各個高頻發射模塊的所述施加器是相控陣的一部分。
3.根據權利要求2所述的模塊化高頻發射源，其中所述相位控制器控制由所述振蕩器模塊產生的電磁輻射的相位關系，以便形成由所述相控陣發射的電磁輻射圖案。
4.根據權利要求3所述的模塊化高頻發射源，其中所述電磁輻射圖案是靜態圖案。
5.根據權利要求3所述的模塊化高頻發射源，其中所述電磁輻射圖案是動態圖案。
6.根據權利要求1所述的模塊化高頻發射源，其中所述高頻是微波頻率。
7.根據權利要求1所述的模塊化高頻發射源，其中所述高頻為0.1MHz至300GHz。
8.一種模塊化高頻發射源，所述模塊化高頻發射源包括：
多個高頻發射模塊，其中每個高頻發射模塊包括：
振蕩器模塊，其中所述振蕩器模塊包括：
電壓控制電路；和
電壓控制振蕩器，其中來自所述電壓控制電路的輸出電壓驅動所述電壓控制振蕩器中的振蕩以產生輸出高頻電磁輻射；
放大模塊，其中所述放大模塊耦合到所述振蕩模塊，其中所述放大模塊放大來自所述電壓控制振蕩器的輸出高頻電磁輻射；
施加器，其中所述施加器耦合到所述放大模塊；和
相位控制器，所述相位控制器可通信地耦合到所述振蕩器模塊中的每個振蕩器模塊，其中所述相位控制器控制由所述振蕩器模塊中的每個振蕩器模塊產生的輸出高頻電磁輻射的相位關系。
9.根據權利要求8所述的模塊化高頻發射源，其中所述輸出高頻電磁輻射激發等離子體。
10.根據權利要求8所述的模塊化高頻發射源，其中各個高頻發射模塊的所述施加器是相控陣的一部分。
11.根據權利要求10所述的模塊化高頻發射源，其中所述相位控制器生成由所述相控陣發射的電磁圖案。
12.根據權利要求11所述的模塊化高頻發射源，其中所述電磁輻射圖案是靜態圖案。
13.根據權利要求11所述的模塊化高頻發射源，其中所述電磁輻射圖案是動態圖案。
14.根據權利要求8所述的模塊化高頻發射源，其中所述高頻是微波頻率。
15.一種處理工具，所述處理工具包括：
處理腔室；和模塊化高頻發射源，所述模塊化高頻發射源包括：
多個高頻發射模塊，其中每個高頻發射模塊包括：
振蕩器模塊，其中每個振蕩器模塊包括：
電壓控制電路；和
電壓控制振蕩器；
放大模塊，其中所述放大模塊耦合所述振蕩器模塊；和
施加器，其中所述施加器耦合到所述放大模塊，并且其中所述施加器定位成與所述處理腔室中的吸盤相對，在所述吸盤上處理一個或多個基板；和
相位控制器，所述相位控制器可通信地耦合到各個振蕩器模塊。
16.根據權利要求15所述的處理工具，其中每個高頻發射模塊的施加器是相控陣的一部分。
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