[發明專利]光纖有效
| 申請號: | 201910318361.3 | 申請日: | 2019-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN110389405B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發明(設計)人: | 佐久間洋宇;田村欣章;森田圭省;川口雄揮 | 申請(專利權)人: | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | G02B6/036 | 分類號: | G02B6/036;C03B37/014;C03C13/04 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;龍濤峰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 | ||
本發明提供一種光纖,該光纖不僅能夠抑制由于玻璃缺陷而導致的衰減,還能夠抑制制造成本的增加。該光纖由石英玻璃制成并包括芯部和包層。包層包圍芯部并且具有比芯部的折射率小的折射率。當芯部其半徑的一半處被分成內芯部和外芯部時,內芯部的平均氯濃度大于外芯部的平均氯濃度。芯部包括堿金屬族中的任何一個。
技術領域
本發明涉及一種光纖。
背景技術
通常,如果由石英玻璃組成的光纖預制件的芯部中含有堿金屬元素或堿土金屬元素,則由光纖的瑞利散射引起的衰減將降低,這是因為在光纖預制件被拉制成光纖的同時芯部的粘度減小并且促使了玻璃的重排。在下文中,堿金屬元素和堿土金屬元素都被稱為“堿金屬族”。
如果含有堿金屬族的芯部不含氯(或僅含有低濃度的氯),則衰減將增加,這是因為在添加到光纖預制件狀態的芯部的中央部分的堿金屬族元素在光纖拉制期間散布時玻璃分子結構的連接被破壞而導致玻璃缺陷。如果芯部含有足夠量的氯,則玻璃缺陷引起的衰減將減小,這是因為當氯與堿金屬族連接時,玻璃缺陷的發生被抑制。
為了減小由這種玻璃缺陷導致的衰減的增加,JP2009-541796A(專利文獻1)和JP2017-76053A(專利文獻2)中所披露的光纖的芯部除堿金屬族之外還含有氯。在專利文獻1所披露的光纖中芯部被劃分為內芯部和外芯部時,內芯部的氯濃度為0至100mol?ppm,并且外芯部的氯濃度為500mol?ppm以上。在專利文獻2所披露的光纖中,內芯部的氯濃度為0至1000mol?ppm,并且外芯部的氯濃度為4000mol?ppm以上。
在專利文獻1和2中任一個中,內芯部的氯濃度小于外芯部的氯濃度。因此,認為如果使添加有堿金屬族的內芯部的氯濃度降低以控制結晶同時使外芯部的氯濃度更高以修復在光纖拉制期間引起的玻璃缺陷,則可以抑制由于玻璃缺陷而導致的衰減的增加。
發明內容
解決問題的手段
本發明的光纖由石英玻璃制成并包括芯部和包層。芯部具有r0的半徑并且含有堿金屬元素或堿土金屬元素。包層包圍芯部并且具有比芯部的折射率小的折射率。芯部包括半徑為r0/2的內芯部以及內半徑為r0/2且外半徑為r0的外芯部。內芯部的平均氯濃度大于外芯部的平均氯濃度。
附圖說明
圖1示出了本發明的光纖的截面。
圖2是用于說明制造圖1的光纖的方法的流程圖。
圖3是用于匯總圖1的示例性光纖A到K的規格的表。
圖4是關于光纖A至K中的每一個而繪制的在1550nm波長處的整個芯部的平均氯濃度和衰減的圖。
圖5是示出光纖B中的氯濃度的徑向分布的曲線圖。
具體實施方式
如果根據專利文獻1和2所披露的發明使外芯部的氯濃度大于內芯部的氯濃度,則制造光纖的成本將增加。
在下文中,將參考附圖詳細描述本發明的各實施例。在附圖中,相同的標記用于相同的部件,并且避免重復說明。本發明不應被限于這些實施例,并且通過權利要求的范圍來表示本發明。意圖是本發明的范圍應當包括與權利要求等同的意義和范圍內的所有變型。
圖1示出了本發明的光纖1的截面。光纖1由石英玻璃制成并包括芯部10和包層20。包層20包圍芯部10并且具有比芯部10的折射率小的折射率。芯部10包括堿金屬族(堿金屬元素族)中的任何一個,并且當芯部10在其半徑的一半處被分成內芯部11和外芯部12時,內芯部11的平均氯濃度大于外芯部12的平均氯濃度。
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