[發明專利]一種碳化硅片快速加熱退火裝置在審
| 申請號: | 201910317907.3 | 申請日: | 2019-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN110047783A | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | 程遠貴 | 申請(專利權)人: | 湖南新銳微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/324 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 伍傳松 |
| 地址: | 410000 湖南省長沙市高新*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 預熱室 冷卻室 碳化硅片 硅片托盤 加熱室 機械手臂 可旋轉的 快速加熱 退火裝置 室內 獨立設置 加工效率 加熱退火 冷卻步驟 依次連接 進出料 升降架 預熱 出料 腔室 入料 加熱 保證 | ||
1.一種碳化硅片快速加熱退火裝置,其特征在于,包括:依次連接的冷卻室(1)、預熱室(2)、加熱室(3),所述冷卻室(1)位于預熱室(2)的一側,所述加熱室(3)位于預熱室(2)的上方,所述冷卻室(1)、預熱室(2)內皆設置有可旋轉的硅片托盤(4)以用于將碳化硅片從腔室的一側轉移到另一側;所述冷卻室(1)、預熱室(2)之間設置有機械手臂(5),以用于將碳化硅片從硅片托盤(4)上夾取到相鄰腔室的硅片托盤(4)上;所述預熱室(2)的硅片托盤(4)底部設置有升降架(6),以用于使碳化硅片在預熱室(2)和加熱室(3)之間垂直移動。
2.根據權利要求1述的碳化硅片快速加熱退火裝置,其特征在于:所述硅片托盤(4)上設置有兩個互相對稱的硅片槽(41),所述硅片托盤(4)底部設置有旋轉軸(42)以用于通過旋轉使兩個硅片槽(41)的位置互換。
3.根據權利要求2述的碳化硅片快速加熱退火裝置,其特征在于:所述硅片槽(41)中間開設有通孔(43),以用于使升降架(6)穿過并頂起碳化硅片。
4.根據權利要求2所述的碳化硅片快速加熱退火裝置,其特征在于:所述升降架(6)位于預熱室(2)的硅片托盤(4)遠離冷卻室(1)的硅片槽(41)下方。
5.根據權利要求1所述的碳化硅片快速加熱退火裝置,其特征在于:還包括與冷卻室(1)相連的進出料室(7),所述進出料室(7)與冷卻室(1)遠離預熱室(2)的一側相連。
6.根據權利要求5所述的碳化硅片快速加熱退火裝置,其特征在于:所述進出料室(7)內設置有可旋轉的硅片托盤(4)以用于將碳化硅片從腔室的一側轉移到另一側。
7.根據權利要求6所述的碳化硅片快速加熱退火裝置,其特征在于:所述進出料室(7)、冷卻室(1)之間設置有機械手臂(5),以用于將碳化硅片從硅片托盤(4)上夾取到相鄰腔室的硅片托盤(4)上。
8.根據權利要求6所述的碳化硅片快速加熱退火裝置,其特征在于:所述進出料室(7)、冷卻室(1)、預熱室(2)的硅片托盤(4)皆位于同一水平面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





