[發(fā)明專利]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換聚合物膜在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910317883.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110003684A | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大倉(cāng)央;脅本健夫;克之松井;松田憲幸;鈴木正睦;方岸本 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 默克專利有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09B67/08 | 分類號(hào): | C09B67/08;C09K11/02;C09K11/06;C09K11/77;H01L31/055 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 劉娜;林柏楠 |
| 地址: | 德國(guó)達(dá)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚合物膜 無機(jī)熒光化合物 有機(jī)熒光化合物 太陽(yáng)能電池 波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化 波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換 制備 | ||
1.一種聚合物膜,其包含至少一種無機(jī)熒光化合物以及至少一種有機(jī)熒光化合物,其特征在于所述聚合膜中的無機(jī)化合物的濃度由所述的聚合物膜的上側(cè)上的高濃度變?yōu)榫酆衔锬さ南聜?cè)上的低濃度,而所述的聚合物膜中的有機(jī)熒光化合物的濃度相反地由所述的聚合物膜的上側(cè)上的低濃度變?yōu)榫酆衔锬さ南聜?cè)上的高濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物膜,其特征在于所述的無機(jī)熒光化合物吸收最大吸收峰波長(zhǎng)在250nm至400nm范圍內(nèi)的輻射,且發(fā)射最大發(fā)射峰波長(zhǎng)在500至1000nm范圍內(nèi)的輻射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物膜,其特征在于所述的有機(jī)熒光化合物吸收最大吸收峰波長(zhǎng)在300nm至500nm范圍內(nèi)的輻射,且發(fā)射最大發(fā)射峰波長(zhǎng)在500至1000nm范圍內(nèi)的輻射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚合物膜,其特征在于所述的無機(jī)熒光化合物選自基于硫化物、硫代鎵酸鹽、氮化物、氧氮化物、硅酸鹽、鋁酸鹽、磷灰石、硼酸鹽、氧化物、磷酸鹽、鹵磷酸鹽、硫酸鹽、鎢酸鹽、鉭酸鹽、釩酸鹽、鉬酸鹽、鈮酸鹽、鈦酸鹽、鍺酸鹽或鹵化物的熒光體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚合物膜,其特征在于所述的無機(jī)熒光化合物的粒度在1至100nm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚合物膜,其特征在于所述的有機(jī)熒光化合物選自熒光素、若丹明、香豆素、芘、花青、苝或二氰基亞甲基。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚合物膜,其特征在于所述的聚合物膜的層厚度介于0.1μm和3,000μm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚合物膜,其特征在于所述的聚合物膜的層厚度介于1μm與500μm之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚合物膜,其特征在于所述的聚合物膜的層厚度介于10μm與200μm之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的聚合物膜,其特征在于其包含對(duì)于在200至1200nm之間的輻射具有適宜透射率值的光固性樹脂、和/或熱固性樹脂、和/或熱塑性樹脂。
11.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)的聚合物膜的方法,其特征在于包含以下步驟:
-在基材上提供至少一層混合物,所述的混合物包含至少一種分散介質(zhì)和至少一種有機(jī)熒光化合物
-固化所述的混合物,且任選地,
-將所述的聚合物膜由所述的基材移除。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的聚合物膜的用途,其用作波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換膜,將波長(zhǎng)約小于500nm的輻射轉(zhuǎn)換為波長(zhǎng)在約大于500nm的范圍內(nèi)的輻射。
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C09B67-10 .用液體,例如溶劑處理對(duì)物理性質(zhì)的影響





