[發明專利]一種用于生長高質量碳化硅晶體原料提純的處理方法在審
| 申請號： | 201910317300.5 | 申請日： | 2019-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN110016718A | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發明（設計）人： | 康淮;陳鵬磊;高冰;劉勝 | 申請（專利權）人： | 天通凱成半導體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人： | 王麗丹 |
| 地址： | 314400 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅晶體 提純 循環蒸發 生長 高溫加熱爐 冷凝處理 粒度均勻 氣相傳輸 石墨坩堝 溫度梯度 氬氣氣氛 冷凝 石墨化 放入 粉料 結塊 籽晶 升華 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于生長高質量碳化硅晶體原料提純的處理方法，其特征在于：在PVT法生長碳化硅晶體前，將盛有
第一步，將盛有
第二步，繼續升溫至2000～2200℃，升溫速率90～110℃/h，保溫0.5～1小時；
第三步，然后以90～110℃/h的速率降溫至1700～1900℃，再次加熱至2000～2200℃，重復以上降溫再加熱步驟4～6次，得到高純度的SiC粉末；
第四步，采用PVT法在N2和Ar混合氣氛中生長高質量的碳化硅晶體，將4H-SiC籽晶固定到石墨托上，再將石墨托與坩堝蓋連接，安置在碳化硅單晶爐中，并采用步驟三得到的SiC粉末為原料，進行碳化硅晶體生長，最終得到4H-SiC晶錠一塊。
2.如權利要求1所述用于生長高質量碳化硅晶體原料提純的處理方法，其特征在于：所述
3.如權利要求1所述用于生長高質量碳化硅晶體原料提純的處理方法，其特征在于：氬氣壓強為0.1atm～1atm。
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