[發明專利]帶剝離裝置在審
| 申請號: | 201910316551.1 | 申請日: | 2019-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN110416114A | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 伊藤史哲;藤谷涼子 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 剝離帶 保護帶 晶片 剝離裝置 粘貼 夾持單元 晶片剝離 剝離區域 粘貼單元 工作臺 夾持 剝離 氣體噴射單元 按壓 氣體噴射 移動單元 中心噴射 上表面 移動 | ||
提供帶剝離裝置,在短時間內良好地將保護帶從晶片剝離。帶剝離裝置在粘貼于晶片(W)的一個面上的保護帶(51)上粘貼剝離帶(54)并拉拽剝離帶而將保護帶從晶片剝離,該帶剝離裝置構成為具有:剝離帶粘貼單元(31),其將剝離帶按壓至保持工作臺(11)上的晶片的保護帶的上表面上而進行粘貼;夾持單元(25),其對剝離帶粘貼單元所粘貼的剝離帶的一端進行夾持;移動單元(37),其通過夾持單元和保持工作臺的相對的移動而將保護帶從晶片剝離;以及氣體噴射單元(46),其從保護帶從晶片被剝離的前端剝離區域朝向晶片的中心噴射氣體,在通過夾持單元夾持著剝離帶的狀態下,通過朝向前端剝離區域的氣體噴射而將保護帶的一部分從晶片的一個面剝離。
技術領域
本發明涉及將粘貼于晶片的保護帶剝離的帶剝離裝置。
背景技術
在對形成有器件的晶片進行磨削時,為了保護器件而在晶片的正面上粘貼保護帶。在晶片的磨削之后,在晶片的保護帶上粘貼帶狀的剝離帶而借助剝離帶將保護帶從晶片撕下(例如,參照專利文獻1、2)。專利文獻1記載的剝離帶通過剝離帶的整個背面上所涂布的粘接糊而粘貼在保護帶上。專利文獻2記載的剝離帶是熱壓接帶,在加熱狀態下將抵接部件按壓至保護帶,從而利用抵接部分將熱壓接帶粘貼在保護帶上。
專利文獻1:日本特開2012-028478號公報
專利文獻2:日本特許第5918928號公報
但是,存在如下的問題:當對熱壓接帶進行拉拽而將保護帶從晶片剝離時,需要在將剝離帶折返90°以上的狀態下低速剝離,將保護帶從晶片剝離需要較長的時間。
發明內容
本發明是鑒于上述問題而完成的,其目的之一在于提供帶剝離裝置,能夠在短時間內良好地將保護帶從晶片剝離。
本發明的一個方式的帶剝離裝置在粘貼于晶片的一個面上的保護帶上粘貼剝離帶并拉拽該剝離帶而將該保護帶從晶片剝離,其特征在于,該帶剝離裝置具有:保持工作臺,其對晶片的另一個面側進行保持;剝離帶粘貼單元,其利用按壓部將該剝離帶按壓至該保持工作臺所保持的晶片的該保護帶的上表面上而進行粘貼;夾持單元,其對該剝離帶粘貼單元所粘貼的該剝離帶的一端進行夾持;移動單元,其使該夾持單元和該保持工作臺相對地移動而將該剝離帶從晶片的外側朝向中心進行拉拽,從而將該保護帶從晶片剝離;以及氣體噴射單元,其將氣體噴射口定位成與該保護帶通過緊挨著晶片外周緣粘貼的該剝離帶而從晶片剝離的前端剝離區域對置,該氣體噴射單元配設在晶片的外側,從該前端剝離區域朝向晶片中心噴射氣體,在該夾持單元夾持著該剝離帶的狀態下,從該前端剝離區域起通過該氣體噴射單元的氣體噴射將該保護帶的一部分從晶片的該一個面剝離,接著對該剝離帶進行拉拽而將該保護帶從晶片剝離。
根據該結構,氣體噴射單元的氣體噴射口朝向保護帶從晶片的外周緣剝離的前端剝離區域。通過夾持單元對剝離帶進行夾持而形成前端剝離區域,朝向晶片的中心噴射氣體,從而氣體從前端剝離區域進入至晶片的一個面與保護帶的粘貼面之間而將保護帶的一部分剝離。在晶片的一個面與保護帶的粘貼面之間形成氣體層,因此在剝離開始時晶片不會隨著保護帶的卷起而被提起。由此,即使提高剝離速度,也不會使晶片破損,能夠在短時間內良好地將保護帶從晶片剝離。
在本發明的一個方式的帶剝離裝置中,該氣體噴射單元間歇地噴射氣體直至至少從該前端剝離區域起至晶片中心為止的這一半的該保護帶剝離為止。
在本發明的一個方式的帶剝離裝置中,晶片在由分割預定線劃分的區域內形成有多個器件,該晶片在已沿著該分割預定線被分割而單片化的狀態下粘貼在該保護帶上,沿著相對于該分割預定線非平行地進行剝離的方向粘貼該剝離帶,該氣體噴射單元按照與該分割預定線非平行的方式噴射氣體。
在本發明的一個方式的帶剝離裝置中,該氣體噴射單元是離子發生器。
根據本發明,氣體噴射單元的氣體噴射口朝向前端剝離區域,因此通過一邊朝向晶片的中心噴送氣體一邊進行剝離,能夠在短時間內良好地將保護帶從晶片剝離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





