[發明專利]有機金屬化合物及包含所述有機金屬化合物的有機發光裝置在審
| 申請號: | 201910316212.3 | 申請日: | 2019-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN110391351A | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發明(設計)人: | 姜宣宇;高秀秉;金兌炅;全翔鎬;曺煐美 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/54 | 分類號: | H01L51/54;C07F15/00;C09K11/06 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;洪欣 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機金屬化合物 能級 三重態金屬 有機發光裝置 電荷轉移態 金屬原子 六齒配體 鍵合 配體 | ||
1.有機發光裝置,包括:
第一電極;
第二電極,其面向所述第一電極;以及
有機層,其位于所述第一電極與所述第二電極之間并且包括發射層,
其中所述有機層包含有機金屬化合物,以及
所述有機金屬化合物包含與金屬原子M1鍵合的六齒配體,并且所述有機金屬化合物的三重態金屬中心態3MC的能級E3MC高于所述有機金屬化合物的三重態金屬至配體電荷轉移態3MLCT的能級E3MLCT。
2.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中
所述有機金屬化合物滿足E3≥5kcal/mol,并且
E3在等式1中定義:
<等式1>
E3=||E3MLCT|-|E3MC||。
3.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中
所述發射層包含所述有機金屬化合物。
4.如權利要求3所述的有機發光裝置,其中
所述發射層發射具有440nm至490nm的最大發射波長的藍色磷光。
5.如權利要求1所述的有機發光裝置,其中
所述有機金屬化合物由式1表示:
<式1>
其中,在式1、式2A和式2B中,
M1選自鉑、鈀、銅、銀、金、銠、銥、釕、鋨、鈦、鋯、鉿、銪、鋱和銩,
A1至A6各自獨立地選自C5-C60碳環基團和C1-C60雜環基團,
L1至L6各自獨立地選自單鍵、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R1)(R2)-*'、*-C(R1)=*'、*=C(R1)-*'、*-C(R1)=C(R2)-*'、*-C(=O)-*'、*-C(=S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R1)-*'、*-N(R1)-*'、*-P(R1)-*'、*-Si(R1)(R2)-*'、*-P(R1)(R2)-*'和*-Ge(R1)(R2)-*',
a1、a3和a5各自獨立地選自1、2和3,
a2、a4和a6各自獨立地選自0、1、2和3,
當a2為0時,A2和A3不連接,
當a4為0時,A4和A5不連接,
當a6為0時,A6和A1不連接,
Y1至Y6各自獨立地為N或C,
T1至T6各自獨立地選自單鍵、*-O-*'和*-S-*',
A1、A3和A5經由由式2A或式2B表示的剪輯連接體連接,
X1與式2A或式2B中的X10連接,
X2與式2A或式2B中的X20連接,
X3與式2A或式2B中的X30連接,
Y10、Y20、Y30和Y40各自獨立地為N或C(R3),
L10、L20和L30各自獨立地選自單鍵、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R4)(R5)-*'、*-C(R4)=*'、*=C(R4)-*'、*-C(R4)=C(R5)-*'、*-C(=O)-*'、*-C(=S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R4)-*'、*-N(R4)-*'、*-P(R4)-*'、*-Si(R4)(R5)-*'、*-P(R4)(R5)-*'和*-Ge(R4)(R5)-*',
a10、a20和a30各自獨立地選自0、1、2、3、4和5,
R1至R5、R10、R20、R30、R40、R50和R60各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基基團、氰基基團、硝基基團、脒基基團、肼基基團、腙基基團、取代或未取代的C1-C60烷基基團、取代或未取代的C2-C60烯基基團、取代或未取代的C2-C60炔基基團、取代或未取代的C1-C60烷氧基基團、取代或未取代的C3-C10環烷基基團、取代或未取代的C1-C10雜環烷基基團、取代或未取代的C3-C10環烯基基團、取代或未取代的C1-C10雜環烯基基團、取代或未取代的C6-C60芳基基團、取代或未取代的C6-C60芳氧基基團、取代或未取代的C6-C60芳硫基基團、取代或未取代的C1-C60雜芳基基團、取代或未取代的C1-C60雜芳氧基基團、取代或未取代的C1-C60雜芳硫基基團、取代或未取代的單價非芳香族稠合多環基團、取代或未取代的單價非芳香族稠合雜多環基團、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)、-P(=O)(Q1)(Q2)和-P(=S)(Q1)(Q2),
R1和R10;R1和R20;R1和R30;R1和R40;R1和R50;或者R1和R60任選地連接以形成取代或未取代的C5-C60碳環基團或者取代或未取代的C1-C60雜環基團,
b10、b20、b30、b40、b50和b60各自獨立地選自1、2、3、4、5、6、7和8,
*和*'各自表示與相鄰原子的連接位點,
所述取代的C5-C60碳環基團、所述取代的C1-C60雜環基團、所述取代的C1-C60烷基基團、所述取代的C2-C60烯基基團、所述取代的C2-C60炔基基團、所述取代的C1-C60烷氧基基團、所述取代的C3-C10環烷基基團、所述取代的C1-C10雜環烷基基團、所述取代的C3-C10環烯基基團、所述取代的C1-C10雜環烯基基團、所述取代的C6-C60芳基基團、所述取代的C6-C60芳氧基基團、所述取代的C6-C60芳硫基基團、所述取代的C1-C60雜芳基基團、所述取代的單價非芳香族稠合多環基團和所述取代的單價非芳香族稠合雜多環基團中的至少一個取代基選自:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基基團、氰基基團、硝基基團、脒基基團、肼基基團、腙基基團、C1-C60烷基基團、C2-C60烯基基團、C2-C60炔基基團和C1-C60烷氧基基團;
各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基基團、氰基基團、硝基基團、脒基基團、肼基基團、腙基基團、C3-C10環烷基基團、C1-C10雜環烷基基團、C3-C10環烯基基團、C1-C10雜環烯基基團、C6-C60芳基基團、C6-C60芳氧基基團、C6-C60芳硫基基團、C1-C60雜芳基基團、單價非芳香族稠合多環基團、單價非芳香族稠合雜多環基團、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)和-P(=O)(Q11)(Q12)中的至少一個取代的C1-C60烷基基團、C2-C60烯基基團、C2-C60炔基基團和C1-C60烷氧基基團;
C3-C10環烷基基團、C1-C10雜環烷基基團、C3-C10環烯基基團、C1-C10雜環烯基基團、C6-C60芳基基團、C6-C60芳氧基基團、C6-C60芳硫基基團、C1-C60雜芳基基團、單價非芳香族稠合多環基團和單價非芳香族稠合雜多環基團;
各自被選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基基團、氰基基團、硝基基團、脒基基團、肼基基團、腙基基團、C1-C60烷基基團、C2-C60烯基基團、C2-C60炔基基團、C1-C60烷氧基基團、C3-C10環烷基基團、C1-C10雜環烷基基團、C3-C10環烯基基團、C1-C10雜環烯基基團、C6-C60芳基基團、C6-C60芳氧基基團、C6-C60芳硫基基團、C1-C60雜芳基基團、單價非芳香族稠合多環基團、單價非芳香族稠合雜多環基團、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)和-P(=O)(Q21)(Q22)中的至少一個取代的C3-C10環烷基基團、C1-C10雜環烷基基團、C3-C10環烯基基團、C1-C10雜環烯基基團、C6-C60芳基基團、C6-C60芳氧基基團、C6-C60芳硫基基團、C1-C60雜芳基基團、單價非芳香族稠合多環基團和單價非芳香族稠合雜多環基團;以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)和-P(=O)(Q31)(Q32),以及
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自獨立地選自氫,氘,-F,-Cl,-Br,-I,羥基基團,氰基基團,硝基基團,脒基基團,肼基基團,腙基基團,C1-C60烷基基團,C2-C60烯基基團,C2-C60炔基基團,C1-C60烷氧基基團,C3-C10環烷基基團,C1-C10雜環烷基基團,C3-C10環烯基基團,C1-C10雜環烯基基團,C6-C60芳基基團,C6-C60芳氧基基團,C6-C60芳硫基基團,C1-C60雜芳基基團,C1-C60雜芳氧基基團,C1-C60雜芳硫基基團,單價非芳香族稠合多環基團,單價非芳香族稠合雜多環基團,被選自氘、-F和氰基基團中的至少一個取代的C1-C60烷基基團,被選自氘、-F和氰基基團中的至少一個取代的C6-C60芳基基團,聯苯基基團和三聯苯基基團。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





