[發明專利]具有(400)晶面擇優的銦錫氧化物在透明薄膜熱電偶上的應用有效
| 申請號： | 201910314709.1 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN109881153B | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發明（設計）人： | 丁萬昱;劉浩;陳衛超 | 申請（專利權）人： | 大連交通大學 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人： | 趙淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 400 擇優 氧化物 透明 薄膜 熱電偶 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有(400)晶面擇優的銦錫氧化物在透明薄膜熱電偶上的應用，其特征在于：利用直流脈沖磁控濺射的方法以石英片為基底材料將具有(400)晶面擇優的體心立方鐵錳礦相多晶銦錫氧化物制成透明薄膜熱電偶的一極，所述直流脈沖磁控濺射的占空比為10-40％，直流脈沖磁控濺射電源工作頻率為100kHz。
2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：所述透明薄膜熱電偶中銦錫氧化物的厚度≥300nm。
3.根據權利要求2所述的應用，其特征在于：所述銦錫氧化物的純度為99.99％，其中：三氧化二銦的質量百分比為90wt.％，二氧化錫的質量百分比為10wt.％。
4.根據權利要求3所述的應用，其特征在于：所述直流脈沖磁控濺射的溫度為自然室溫。
5.根據權利要求4所述的應用，其特征在于：所述直流脈沖磁控濺射的工作氣體為氬，氬的純度為99.99％。
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