[發(fā)明專利]氣體輸送系統(tǒng)、半導體設備和氣體輸送方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910314612.0 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN111826637B | 公開（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王春;鄭波;馬振國;吳鑫;王曉娟;史晶 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氣體 輸送 系統(tǒng) 半導體設備 方法 | ||
1.一種氣體輸送系統(tǒng)，包括進氣管路和源瓶，所述源瓶內(nèi)盛放有前驅物，所述進氣管路用于將自所述源瓶輸出的包含所述前驅物的工藝氣體輸送至反應腔室中，且在所述進氣管路上設置有第一通斷閥，其特征在于：所述氣體輸送系統(tǒng)還包括第一回收管路和回收裝置，其中，
所述第一回收管路分別與所述進氣管路和所述回收裝置相連，用于將所述進氣管路中的工藝氣體輸送至所述回收裝置；
所述第一回收管路上設置有第二通斷閥；
所述回收裝置用于采用溶解或吸附的方式收集所述前驅物；
所述氣體輸送系統(tǒng)還包括第二回收管路和處理裝置，其中，
所述處理裝置用于對所述回收裝置收集的前驅物進行處理，以使所述回收裝置輸出所述前驅物；
所述第二回收管路分別與所述回收裝置和所述源瓶相連，用于將所述回收裝置輸出的前驅物輸送至所述源瓶；所述第二回收管路上設有第四通斷閥。
2.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸送系統(tǒng)，其特征在于：所述氣體輸送系統(tǒng)還包括第一排氣管路和排氣裝置，其中，
所述第一排氣管路分別與所述回收裝置和所述排氣裝置相連，用于將所述回收裝置中未被收集的工藝氣體輸送至所述排氣裝置；
所述第一排氣管路上設有第三通斷閥。
3.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸送系統(tǒng)，其特征在于：所述回收裝置包括液體容器，所述液體容器內(nèi)盛放有用于溶解所述前驅物的溶劑。
4.根據(jù)權利要求3所述的氣體輸送系統(tǒng)，其特征在于：所述處理裝置包括加熱器、干燥器、濃度檢測器和第五通斷閥，其中，
所述加熱器用于對所述回收裝置進行加熱，以使所述溶劑揮發(fā)形成包含所述前驅物的蒸汽；
所述干燥器、濃度檢測器和第五通斷閥沿氣體流向依次設置在所述第二回收管路上，且位于所述第四通斷閥的下游；
所述干燥器用于對所述第二回收管路中的所述蒸汽進行干燥，以形成氣態(tài)前驅物；
所述濃度檢測器用于檢測所述第二回收管路中的所述氣態(tài)前驅物的濃度。
5.根據(jù)權利要求1所述的氣體輸送系統(tǒng)，其特征在于：所述回收裝置包括固體容器，所述固體容器內(nèi)盛放有用于吸附所述前驅物的吸附劑。
6.根據(jù)權利要求2所述的氣體輸送系統(tǒng)，其特征在于：所述氣體輸送系統(tǒng)還包括第二排氣管路，所述第二排氣管路的進氣端與所述第一回收管路的進氣端相連，且位于所述第二通斷閥的上游；所述第二排氣管路的出氣端與所述排氣裝置相連，且所述第二排氣管路上設有第六通斷閥。
7.一種半導體設備，包括反應腔室和用于向所述反應腔室內(nèi)輸送工藝氣體的氣體輸送系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體輸送系統(tǒng)如權利要求1-6任一項所述。
8.一種氣體輸送方法，其特征在于：所述氣體輸送方法采用如權利要求1-6任一項所述的氣體輸送系統(tǒng)向反應腔室內(nèi)輸送工藝氣體，所述氣體輸送方法包括以下步驟：
S1：向所述進氣管路中輸送包含所述前驅物的工藝氣體，同時關閉所述第一通斷閥，開啟所述第二通斷閥，使所述工藝氣體經(jīng)所述第一回收管路進入所述回收裝置，所述回收裝置采用溶解或吸附的方式收集所述前驅物；
S2：當所述進氣管路中的所述工藝氣體的流量達到預設值且保持在所述預設值不變時，關閉所述第二通斷閥，開啟所述第一通斷閥，使所述工藝氣體經(jīng)所述進氣管路進入所述反應腔室；
S3：關閉所述第一通斷閥、所述第二通斷閥，開啟所述第四通斷閥，利用所述第二回收管路，使所述回收裝置輸出的所述前驅物進入所述源瓶。
9.根據(jù)權利要求8所述的氣體輸送方法，其特征在于：所述氣體輸送系統(tǒng)還包括第一排氣管路和排氣裝置，其中，所述第一排氣管路分別與所述回收裝置和所述排氣裝置相連，用于將所述回收裝置中未被收集的工藝氣體輸送至所述排氣裝置；所述第一排氣管路上設有第三通斷閥；
所述氣體輸送方法還包括：
在進行所述步驟S1的同時，開啟所述第三通斷閥，使未被所述回收裝置收集的所述工藝氣體經(jīng)所述第一排氣管路進入所述排氣裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
