[發明專利]一種人造非晶翡翠薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201910314368.8
• 申請日: 2019-04-18
• 公開（公告）號: CN109913837B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 吳法宇;李瑞武;張政;許超;張瑤瑤;尹航;宮震
• 申請（專利權）人: 遼寧科技大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 鞍山嘉訊科技專利事務所(普通合伙) 21224
• 代理人: 張群

1.一種人造非晶翡翠薄膜的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射方法，利用不導電的粉末靶，配合使用射頻電源制備，具體包括以下步驟：

1）靶材制備：將不導電的粉末混合攪拌，混合攪拌5~10分鐘，制得混合粉末原料，所述的粉末原料粒度不大于830μm；

所述的不導電的粉末包括氧化鋁、零水偏硅酸鈉、二氧化硅粉末、致色元素氧化物重量按51:61:90:0~51:61:90:2混合；或者，所述的不導電的粉末為Na₂O、Al₂O₃、SiO₂和Cr₂O₃按31:51:120:（0~2）重量配比的混合物或Na₂SiO₃、Al₂(SiO₃)₃和Cr₂O₃按61:141:（0~2）重量配比的混合物；

基體制備：將基體在去離子水中用超聲清洗15分鐘以上；

2）將混合粉末原料均勻鋪滿在樣品臺并壓實，基體固定在壓實的混合粉末原料上方12~18cm；

3）磁控濺射：采用機械泵和分子泵抽真空，當達到本底真空度3.0×10^-3Pa時通氬氣，氬氣流量為5~10sccm，基體偏壓為-80~-120V，工作氣壓為1.0×10^-1~2.0×10^-1Pa進行磁控濺射，濺射功率為100~500W，濺射時間為1~8h，最終制成非晶翡翠薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種人造非晶翡翠薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1）中所述的氧化鋁粒度不大于75μm，零水偏硅酸鈉粒度不大于830μm，二氧化硅粒度不大于5μm。

3.根據權利要求1所述的一種人造非晶翡翠薄膜的制備方法，其特征在于，所述的致色元素氧化物中的致色元素為鉻、鈦、鐵、錳、鉭或鎂。

4.根據權利要求1所述的一種人造非晶翡翠薄膜的制備方法，其特征在于，所述的基體為不銹鋼、硅酸鹽玻璃、陶瓷或環氧樹脂。

5.根據權利要求1所述的一種人造非晶翡翠薄膜的制備方法，其特征在于，所述的基體制備：將基體按順序分別在去離子水、酒精和丙酮中用超聲清洗15分鐘以上。