[發明專利]可編程電荷存儲晶體管、存儲器單元和形成絕緣體材料的方法有效
| 申請號： | 201910313620.3 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN110387535B | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 王翡;K·舍羅特瑞;J·B·赫爾;A·A·漢德卡;毛鐸;徐志鑫;黃壹壹;李杰;梁東 | 申請（專利權）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | C23C16/34 | 分類號： | C23C16/34;C23C16/44;H01L21/28;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 可編程 電荷 存儲 晶體管 存儲器 單元 形成 絕緣體 材料 方法 | ||
1.一種形成Si3Nx的方法，其中“x”小于4且至少為3，所述方法包括：
在具有100到500毫托的腔室壓力的腔室內，將包括Si的前體分子分解為彼此不同的至少兩個分解物質，所述至少兩個不同分解物質中的至少一個包括Si；
在分解所述Si的前體分子后，使外部襯底表面與所述至少兩個分解物質接觸，其中包括Si的所述分解物質中的至少一個附著到所述外部襯底表面以包括附著物質；以及
在使所述外部襯底表面接觸后，使所述附著物質與包括N的前體接觸，所述包括N的前體與所述附著物質反應以形成包括Si3Nx的反應產物，其中“x”小于4且至少為3。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述分解包括所述包括Si的前體分子在至少500℃的溫度下的熱分解。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述分解基本上由熱分解組成。
4.根據權利要求1所述的方法，其包括使包括Si的所述分解物質中的所述至少一個附著到所述附著物質。
5.根據權利要求1所述的方法，其中所述分解在所述外部襯底表面正上方發生。
6.根據權利要求1所述的方法，其包括重復權利要求1中的方法步驟。
7.根據權利要求1所述的方法，其中所述包括Si的前體分子包括硅烷。
8.根據權利要求7所述的方法，其中所述硅烷包括氯硅烷。
9.一種形成Si3Nx的方法，其中“x”小于4且至少為3，所述方法包括：
將四氯化硅分解為彼此不同的至少兩個分解物質，所述至少兩個不同分解物質中的至少一個包括Si；
在分解所述Si的前體分子后，使外部襯底表面與所述至少兩個分解物質接觸，其中包括Si的所述分解物質中的至少一個附著到所述外部襯底表面以包括附著物質；以及
在使所述外部襯底表面接觸后，使所述附著物質與包括N的前體接觸，所述包括N的前體與所述附著物質反應以形成包括Si3Nx的反應產物，其中“x”小于4且至少為3。
10.根據權利要求1所述的方法，其中所述包括N的前體包括氨。
11.根據權利要求1所述的方法，其包括在所述接觸中的至少一個期間還使所述外部襯底表面與N2接觸。
12.根據權利要求11所述的方法，其包括在所述接觸兩者期間使所述外部襯底表面與N2接觸。
13.根據權利要求1所述的方法，其中所述反應產物中的“x”至少為3.5。
14.根據權利要求1所述的方法，其中所述反應產物中的“x”不超過3.90。
15.根據權利要求1所述的方法，其中所述反應產物中的“x”為3.75。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
