[發明專利]回焊裝置以及接合方法在審
| 申請號: | 201910312959.1 | 申請日: | 2019-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN111834241A | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發明(設計)人: | 黃英叡;梁孝仲;黃見翎 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 以及 接合 方法 | ||
一種用于接合集成電路的回焊裝置,包括主要腔室。主要腔室包括:第一區域、第二區域以及第三區域。第一區域經配置對集成電路進行加熱處理。第二區域包括加壓頭,其對集成電路進行加壓處理,以使集成電路的彎曲表面變成平坦表面。加壓頭包括主體部與配置于主體部的一側的緩沖層。緩沖層具有彈性,以共形地貼合集成電路。第三區域經配置對集成電路進行冷卻處理。
技術領域
本發明實施例涉及一種回焊裝置以及接合方法。
背景技術
在集成電路封裝中,焊接是接合集成電路各組件中最常用的方法之一。以接合兩個集成電路組件為例來說明,可通過焊料將兩個集成電路組件安置在一起,進行回焊以熔化焊料,進而在焊料冷卻時以將兩個集成電路組件接合起來。
然而,傳統的回焊工藝會限制集成電路組件的翹曲范圍(warpage range)與焊料用量(solder volume),以達到良好的接點。在此情況下,限制了接點的工藝裕度,特別是在大面積的集成電路組件與細微間距(fine pitch)接點的封裝工藝。
發明內容
本發明實施例提供一種用于接合集成電路的回焊裝置,包括主要腔室。主要腔室包括:第一區域、第二區域以及第三區域。第一區域經配置對集成電路進行加熱處理,以使集成電路的表面形成彎曲形狀。第二區域包括加壓頭,其對集成電路進行加壓處理,以使集成電路的彎曲表面變成平坦表面。加壓頭包括主體部與配置于主體部的一側的緩沖層。緩沖層具有彈性,以共形地貼合集成電路。第三區域經配置對集成電路進行冷卻處理。
本發明實施例提供一種接合方法,其步驟如下。貼合第一襯底與第二襯底,使得第一襯底上的多個第一焊料區分別對齊第二襯底上的多個第二焊料區;以及進行回焊工藝。進行回焊工藝包括:在回焊裝置的第一區域內進行第一加熱處理,其中第一襯底與第二襯底之間的熱膨脹系數差異使得在第一加熱處理期間第二襯底的表面形成彎曲形狀;在回焊裝置的第二區域內進行第二加熱處理與加壓處理,加壓處理包括通過加壓頭對第二襯底加壓,以使第二襯底的彎曲表面變成平坦表面,其中第一區域與第二區域彼此分隔且獨立。
本發明實施例提供另一種接合方法,其步驟如下。貼合第一襯底與第二襯底,使得第一襯底上的多個第一焊料區分別對齊第二襯底上的多個第二焊料區;以及在回焊裝置的獨立腔室內進行加熱處理與加壓處理,加壓處理包括通過加壓頭對第二襯底加壓,其中加熱處理包括經由通氣管道將熱源傳送至獨立腔室中,以均勻獨立腔室中的溫度,從而將第一焊料區與第二焊料區熔合成多個接合焊料。
附圖說明
根據結合附圖閱讀的以下詳細描述最好地理解本公開的各方面。應注意,根據業界中的標準慣例,各種特征未按比例繪制。實際上,為了論述清楚起見,可任意增大或減小各種特征的尺寸。
圖1是本發明第一實施例的一種回焊裝置的剖面示意圖。
圖2是本發明第二實施例的一種回焊裝置的剖面示意圖。
圖3是本發明第三實施例的一種回焊裝置的剖面示意圖。
圖4A至圖4C分別是通過本發明第四實施例的加壓頭進行加壓的作動示意圖。
圖5A至圖5C分別是通過本發明第五實施例的加壓頭進行加壓的作動示意圖。
圖6是本發明第六實施例的一種加壓頭的剖面示意圖。
圖7是本發明一實施例的集成電路的接合方法的流程圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





