[發明專利]CCZ連續拉晶坩堝及涂層方法在審
| 申請號： | 201910312944.5 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN110029395A | 公開（公告）日： | 2019-07-19 |
| 發明（設計）人： | 李德建;王會敏;何京輝;王東;顏超;路鵬;劉欽;李增衛;何志國;陳陽 | 申請（專利權）人： | 邢臺晶龍電子材料有限公司;GTAT知識產權有限責任公司 |
| 主分類號： | C30B15/10 | 分類號： | C30B15/10;C30B29/06;C04B41/85 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 趙寶琴 |
| 地址： | 054001 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坩堝 硅料 拉晶 內環 生長空間 熔融 制備技術領域 坩堝使用壽命 容納 半導體材質 單晶硅 晶體生長 坩堝內壁 加料 通料孔 下端 相抵 外部 | ||
1.CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，包括：
外坩堝，用于容納待熔融的硅料；
坩堝內環，設置于所述外坩堝內，下端與所述外坩堝內壁相抵，其內部形成用于晶體生長的生長空間，其外部與所述外坩堝之間形成用于容納硅料的加料空間，所述坩堝內環上設有用于熔融的硅料進入所述生長空間的通料孔。
2.如權利要求1所述的CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，所述外坩堝的底部為下凹的弧形面，所述坩堝內環的下端與所述弧形面相抵，且所述坩堝內環與所述外坩堝同軸。
3.如權利要求2所述的CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，所述弧形面的弧度為R100-R500。
4.如權利要求2所述的CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，所述外坩堝的底部和其側壁的相交處為弧形過渡面。
5.如權利要求4所述的CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，所述弧形過渡面的弧度為R80-R150。
6.如權利要求1所述的CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，所述外坩堝的厚度為10mm-15mm，所述坩堝內環的厚度在8mm-15mm之間。
7.如權利要求1所述的CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，所述坩堝內環的高度低于所述外坩堝的高度，高度差為5mm-15mm。
8.如權利要求1所述的CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，所述外坩堝的內壁和所述坩堝內環的內外壁分別均勻涂有涂層。
9.如權利要求8所述的CCZ連續拉晶坩堝，其特征在于，所述涂層的材質為鋇元素，或者至少包含鋇元素的化合物，坩堝表面涂層量為2g/㎡-10g/㎡。
10.如權利要求1-9任一項所述的坩堝的涂層方法，其特征在于，包括：
清洗，對坩堝進行清洗，采用氫氟酸與硝酸進行配置清洗液，配比在1:5至2:1之間；
烘干，對清洗后的坩堝進行烘干；
噴涂，采用化學藥劑對坩堝表面進行涂層，所述化學藥劑為鋇元素，或者至少包含鋇元素的化合物，坩堝表面涂層量為2g/㎡-10g/㎡。
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