[發(fā)明專利]一種基于線性區(qū)MOS管的兩端口模擬乘法器設(shè)計(jì)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910312535.5 | 申請(qǐng)日： | 2019-04-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110011658A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳涵涵;卜剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 南京航空航天大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H03K19/094 | 分類號(hào)： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 模擬乘法器 輸入電壓 兩端口 線性區(qū) 源極 模擬集成電路設(shè)計(jì) 模擬電路設(shè)計(jì) 電壓緩沖器 源極跟隨器 運(yùn)算放大器 乘法運(yùn)算 電流方程 基礎(chǔ)模塊 精度要求 設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu) 輸出電阻 在線性區(qū) 恒流源 輸出端 共源 漏極 集成電路 電路 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種基于線性區(qū)MOS管的兩端口模擬乘法器設(shè)計(jì)方法，其特征在于：
A.NMOS管NM1和NM2連接成電壓調(diào)整型共源共柵電路，輸入電壓VX經(jīng)過(guò)PMOS管PM1和恒流源Ibias所組成的源極跟隨器加在NM1的柵極與源極之間，輸入電壓VY經(jīng)過(guò)運(yùn)算放大器OPA和NMOS管NM2所組成的電壓緩沖器加在了NM1的漏極與源極之間；
B.通過(guò)調(diào)整偏置電流Ibias的電流和PM1管的尺寸大小，使PM1管的柵源電壓絕對(duì)值|Vgsp|與NM1管的閾值電壓Vthn接近；
C.對(duì)初始電壓VYS進(jìn)行預(yù)處理，通過(guò)兩個(gè)分壓電阻R1∶R2＝N-1∶1對(duì)VYS進(jìn)行分壓，得到乘法器輸入端的電壓VY＝VYS/N，通過(guò)選擇N使VY遠(yuǎn)小于VX。
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