[發(fā)明專利]集成電路器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910312232.3 | 申請日： | 2019-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN110931466B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 文瑄敏;金洙煥;金鉉埈;樸成律;樸瑛琳;蔣在完 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 王新華 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種集成電路器件，包括：
電極，所述電極包括第一金屬；
緩沖層，設(shè)置在所述電極上，所述緩沖層包括所述第一金屬、氧原子和氮原子；以及
電介質(zhì)結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述緩沖層上，其中所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括：
結(jié)晶誘導(dǎo)膜，設(shè)置在所述緩沖層上，所述結(jié)晶誘導(dǎo)膜包括第一金屬氧化物膜，所述第一金屬氧化物膜包括所述第一金屬；和
第一電介質(zhì)膜，設(shè)置在所述結(jié)晶誘導(dǎo)膜上，所述第一電介質(zhì)膜包括第二金屬氧化物膜，所述第二金屬氧化物膜包括第二金屬，其中所述第二金屬不同于所述第一金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一金屬包括過渡金屬或后過渡金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述結(jié)晶誘導(dǎo)膜的第一厚度小于所述第一電介質(zhì)膜的第二厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一電介質(zhì)膜的一部分或全部具有四方相。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一金屬氧化物膜和所述第二金屬氧化物膜之間的晶格失配為15％或更小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述電極包括包含所述第一金屬的金屬膜、包含所述第一金屬的金屬氧化物膜、包含所述第一金屬的金屬氮化物膜和包含所述第一金屬的金屬氮氧化物膜中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述第一電介質(zhì)膜包括：
第一局部區(qū)域，設(shè)置在所述結(jié)晶誘導(dǎo)膜上；和
第二局部區(qū)域，一體地連接到所述第一局部區(qū)域并設(shè)置在所述第一電介質(zhì)膜的與所述結(jié)晶誘導(dǎo)膜間隔開的遠(yuǎn)端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述緩沖層中的氮原子含量在所述緩沖層的厚度方向上變化。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)還包括：
第二電介質(zhì)膜，設(shè)置在所述第一電介質(zhì)膜上，所述第二電介質(zhì)膜具有比所述第一電介質(zhì)膜的第一帶隙大的第二帶隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)還包括：
第二電介質(zhì)膜，設(shè)置在所述第一電介質(zhì)膜上，所述第二電介質(zhì)膜具有比所述第一電介質(zhì)膜的第一帶隙大的第二帶隙；和
第三電介質(zhì)膜，設(shè)置在所述第二電介質(zhì)膜上，所述第三電介質(zhì)膜具有比所述第二帶隙大的第三帶隙。
11.一種集成電路器件，包括：
基板；
底電極，設(shè)置在所述基板之上，所述底電極包括第一金屬；
頂電極，設(shè)置在所述底電極之上；
電介質(zhì)結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述底電極和所述頂電極之間；以及
緩沖層，設(shè)置在所述底電極和所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)之間，所述緩沖層包括所述第一金屬、氧原子和氮原子，
其中所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括：
結(jié)晶誘導(dǎo)膜，設(shè)置在所述緩沖層上；和
第一電介質(zhì)膜，設(shè)置在所述結(jié)晶誘導(dǎo)膜上，所述第一電介質(zhì)膜包括第二金屬氧化物膜，所述第二金屬氧化物膜包括第二金屬，其中所述第二金屬不同于所述第一金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路器件，其中所述第一電介質(zhì)膜包括：
第一局部區(qū)域，設(shè)置在所述底電極和所述頂電極之間，所述第一局部區(qū)域設(shè)置在所述結(jié)晶誘導(dǎo)膜上；和
第二局部區(qū)域，一體地連接到所述第一局部區(qū)域并設(shè)置在所述第一電介質(zhì)膜的與所述結(jié)晶誘導(dǎo)膜間隔開的遠(yuǎn)端。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路器件，其中所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括：
具有第一厚度的第一部分，所述第一部分設(shè)置在所述底電極和所述頂電極之間；和
具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二部分，所述第二部分包括所述第二局部區(qū)域。
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