[發明專利]具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極及制備方法

在審

• 申請號: 201910311400.7
• 申請日: 2019-04-18
• 公開（公告）號: CN110115581A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 劉景全;吉博文;王明浩;郭哲俊;王隆春;楊斌;王曉林
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: A61B5/0478
• 分類號: A61B5/0478
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 徐紅銀

1.一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極，其特征在于：所述電極包括：基底，在所述基底上方設置彈性聚合物薄膜形成彈性聚合物基底，所述彈性聚合物薄膜中摻入硅油，在所述彈性聚合物基底上沉積第一層聚合物薄膜，通過沉積所述第一層聚合物薄膜作為絕緣層，褶皺自發生成。

2.根據權利要求1所述的一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極，其特征在于：所述彈性聚合物薄膜的材料為聚二甲基硅氧烷或Ecoflex。

3.根據權利要求2所述的一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極，其特征在于，所述彈性聚合物薄膜中摻入硅油，其中所述硅油的質量百分含量不超過所述彈性聚合物薄膜和所述硅油總質量的50％。

4.根據權利要求1所述的一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極，其特征在于：所述第一層聚合物薄膜的材料為聚對二甲苯。

5.根據權利要求4所述的一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極，其特征在于：在所述第一層聚合物薄膜上方設置金屬電極層，在所述金屬電極層的上方設置第二層聚合物薄膜作為封裝層，所述第二層聚合物薄膜上設置電極修飾層。

6.根據權利要求5所述的一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極，其特征在于：其特征在于，所述電極修飾層的材料為聚乙撐二氧噻吩或鉑黑，和/或，所述第二層聚合物薄膜的材料為聚對二甲苯。

7.根據權利要求1-6任意一項所述的一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極，其特征在于：所述彈性聚合物基底還包括在所述基底上方設置一層金屬釋放層，所述金屬釋放層位于所述基底和所述彈性聚合物薄膜之間。

8.根據權利要求7所述的一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極，其特征在于：所述金屬釋放層的金屬材料為鋁、鉻或銅，所述金屬釋放層的厚度為200～1000nm。

9.一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極的制備方法，其特征在于，包括：

在未固化的彈性聚合物內摻入硅油，將所述彈性聚合物和所述硅油混合后旋涂在基底上方形成一層彈性聚合物薄膜層，從而形成彈性聚合物基底；

將所述彈性聚合物基底在有機溶劑里浸泡萃取所述硅油；

在萃取所述硅油后的所述彈性聚合物基底上方沉積一層第一層聚合物薄膜，第一層聚合物薄膜的材料為聚對二甲苯，褶皺自發生成。

10.根據權利要求9所述的一種具有增強型褶皺微結構的柔性腦機接口電極的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述基底上設置金屬釋放層，所述金屬釋放層位于所述基底和所述彈性聚合物薄膜層之間；

在所述第一層聚合物薄膜上方設置金屬電極層，在所述金屬電極層上方沉積第二層聚合物作為頂層聚合物封裝層；刻蝕暴露出所述金屬電極層的電極點；切割得到電極輪廓；腐蝕所述金屬釋放層，完成電極釋放；連接電極接口并完成接口密封；在所述第二層聚合物薄膜上電鍍電極修飾材料，完成所述電極改性。