[發明專利]顯示裝置及顯示裝置的制備方法有效
| 申請號: | 201910310840.0 | 申請日: | 2019-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN109979947B | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 李源規;文國哲;李俊峰 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制備 方法 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
預設彎折區,包括基材層和設置在所述基材層一側的第一刻蝕阻擋層;
與所述預設彎折區連接的非彎折區,包括層疊設置的所述基材層、所述第一刻蝕阻擋層和第一無機材料層;以及
設置于所述第一刻蝕阻擋層和所述第一無機材料層表面的金屬走線層;
所述金屬走線層包括設置在所述第一刻蝕阻擋層表面的至少一個金屬走線單元;
進一步包括:
依次層疊設置的第二無機材料層和第二刻蝕阻擋層;
其中,在所述預設彎折區,所述第二無機材料層和第二刻蝕阻擋層設置在所述金屬走線層和所述第一刻蝕阻擋層之間,其中,所述第二無機材料層包括至少一個第二無機材料單元,所述第二刻蝕阻擋層包括至少一個第二刻蝕阻擋單元,其中,所述第二無機材料單元、所述第二刻蝕阻擋單元和所述金屬走線單元在垂直于所述第一刻蝕阻擋層的方向上對應設置;
在所述非彎折區,所述第二無機材料層和第二刻蝕阻擋層設置在所述第一無機材料層和所述第一刻蝕阻擋層之間。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一刻蝕阻擋層的厚度為10nm。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一刻蝕阻擋層采用的材料包括非晶硅。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一無機材料層與所述第一刻蝕阻擋層的刻蝕選擇比大于1。
5.一種如權利要求1所述的顯示裝置的制備方法,其特征在于,包括:
在基材層上形成依次層疊的第一刻蝕阻擋層、第二無機材料層、第二刻蝕阻擋層和第一無機材料層;
對預設彎折區的所述第一無機材料層進行第一刻蝕;
當監測到刻蝕至所述第二刻蝕阻擋層表面時,停止所述第一刻蝕;
在所述第一無機材料層和所述第二刻蝕阻擋層表面形成金屬走線層;以及
對所述預設彎折區的所述金屬走線層、所述第二刻蝕阻擋層以及所述第二無機材料層進行刻蝕,以形成多組在垂直于所述第一刻蝕阻擋層的方向上對應設置的所述第二無機材料單元、所述第二刻蝕阻擋單元和所述金屬走線單元。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,對所述預設彎折區的所述金屬走線層、所述第二刻蝕阻擋層以及所述第二無機材料層進行刻蝕,以形成多組在垂直于所述第一刻蝕阻擋層的方向上對應設置的所述第二無機材料單元、所述第二刻蝕阻擋單元和所述金屬走線單元包括:
對位于所述預設彎折區的所述金屬走線層進行第二刻蝕;
當監測到刻蝕至所述第二刻蝕阻擋層表面時,停止所述第二刻蝕以形成至少一個金屬走線單元;
依據所述至少一個金屬走線單元所組成的圖案對所述第二刻蝕阻擋層和所述第二無機材料層進行第三刻蝕;以及
當監測到刻蝕至所述第一刻蝕阻擋層表面時,停止所述第三刻蝕,以形成多組在垂直于所述第一刻蝕阻擋層的方向上與所述金屬走線單元對應設置的所述第二無機材料單元和所述第二刻蝕阻擋單元。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





