[發明專利]一種量子點電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201910310324.8
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN110416424A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 許偉;劉南柳;彭俊彪;王琦;張國義
• 申請（專利權）人: 華南理工大學;北京大學東莞光電研究院
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍;江裕強

1.一種量子點電致發光器件，包括依次層疊的透明襯底，陰極、量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層及金屬陽極，其特征在于，所述氮化鎵材料包括非摻雜、摻雜的N型氮化鎵單晶層或多層，其中摻雜的原子包括Si，Ge。

2.根據權利要求1項所述的量子點電致發光器件，其特征在于，所述量子點電致發光器件還包括在陰極層和量子點發光層之間依次層疊的電子注入層和電子傳輸層，其中所述氮化鎵材料既為陰極又為電子注入層。

3.根據權利要求1或2所述的量子點電致發光器件，其特征在于，所述透明襯底包括藍寶石襯底、氮化鎵自支撐襯底或者兩者的結合。

4.根據權利要求1或2所述的量子點電致發光器件，其特征在于，所述量子點發光層的厚度為(30 ± 10) nm；

所述量子點發光層包括紅光、綠光、藍光量子點。

5.根據權利要求1或2所述的量子點電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的厚度為(20 ±10) nm；

所述空穴注入層的厚度為5-40 nm;所述空穴傳輸層的材料包括芳香族化合物、咔唑類化合物或有機金屬配合物；所述空穴注入層的材料包括以碳或硅做主鏈的共軛或非共軛高電導體系構成的薄膜或無機氧化物。

6.根據權利要求1或2所述的量子點電致發光器件，其特征在于，所述金屬陽極的厚度為200 ± 100 nm;

所述金屬陽極的材料包括Al、Au或Ag中的任意一種或至少兩種以上金屬的合金。

7.制備權利要求1~6任一項所述的量子點電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）提供透明襯底；

（2）在步驟（1）中的所述襯底上生長一層氮化鎵單晶層作為陰極/電子注入層；

（3）分別用洗液、去離子水、異丙醇超聲清洗各10 -20min，清洗表面污染物，高壓氮氣吹干后，采用氧氣等離子對其進行表面修飾，然后在氮氣手套箱內旋涂量子點材料，得量子點發光層；

（4）在步驟（3）所述的量子點發光層上通過溶液加工工藝依次旋涂空穴傳輸層和空穴注入層；

（5）放入真空蒸鍍腔室，在真空度低于3×10^-4 Pa條件下蒸鍍金屬陽極；

其中，量子點材料、空穴傳輸層的材料和空穴注入層的材料的溶劑包括甲苯、二甲苯、氯苯中的任意一種或其任意一種與高沸點醚類共混的復合溶劑。

8.根據權利要求7所述的量子點電致發光器件的制備方法，其特征在于，在步驟（3）所述的量子點發光層上通過真空蒸鍍工藝，在真空度低于3×10^-4 Pa條件下依次形成空穴傳輸層和空穴注入層。

9.根據權利要求7所述的量子點電致發光器件的制備方法，其特征在于，提高所述襯底的透光性的方法包括研磨拋光處理工藝。