[發明專利]一種調控鈣鈦礦層晶體生長的方法及其在太陽能電池中的應用

在審

• 申請號: 201910309877.1
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN110112301A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 張永文;譚婉怡;閔永剛
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48;H01L51/42
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 林麗明

1.一種調控鈣鈦礦層晶體生長的方法，其特征在于，在陽極界面層表面制備修飾層，然后在修飾層表面制備鈣鈦礦層；所述修飾層為2,2'-聯吡啶、4,4'-聯吡啶、1,10-菲羅啉、乙二胺四乙酸中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在保護性氣氛下，將修飾層溶液旋涂在陽極界面層上，制得修飾層；再在修飾層上旋涂鈣鈦礦溶液，制得鈣鈦礦層。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述鈣鈦礦層的鈣鈦礦結構為ABX3，其特征在于，A為Pb、Sn中的任一種或兩種，B為MA、FA、Cs中的任一種或兩種，X為Cl_pBr_qI_3-p-q，p、q的取值范圍為0～3。

4.根據權利要1或2所述的方法，其特征在于，所述陽極界面層為NiOx層。

5.權利要求1～4任一所述方法在制備鈣鈦礦太陽能電池器件中的應用。

6.一種鈣鈦礦太陽能電池器件，其特征在于，包括依次層疊設置的導電玻璃電極、陽極界面層、修飾層、鈣鈦礦層、電子傳輸層與金屬電極；所述修飾層為2,2'-聯吡啶、4,4'-聯吡啶、1,10-菲羅啉、乙二胺四乙酸中的一種或多種。

7.根據權利要求6所述的鈣鈦礦太陽能電池器件，其特征在于，在電子傳輸層和金屬電極層之間還包含金屬電極修飾層，所述金屬電極修飾層為ZrAcac。

8.根據權利要求6所述的鈣鈦礦太陽能電池器件，其特征在于，所述導電玻璃電極為ITO、FTO或AZO。

9.根據權利要求6所述的鈣鈦礦太陽能電池器件，其特征在于，所述電子傳輸層為PCBM。

10.權利要求7所述的鈣鈦礦太陽能電池器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：S1.在透明導電襯底的基片上制備陽極界面層；S2.在陽極界面層上制備修飾層；S3.在修飾層上制備鈣鈦礦層；S4.在鈣鈦礦層上制備電子傳輸層S5.在電子傳輸層上制備金屬電極修飾層；S6.在電極修飾層上蒸鍍金屬電極做為背電極，得到具有界面修飾層的鈣鈦礦太陽能電池器件。