[發明專利]用于半導體制造部件的高純度金屬頂涂層

在審

• 申請號: 201910309420.0
• 申請日: 2014-11-11
• 公開（公告）號: CN109989057A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: J·Y·孫;V·菲魯茲多爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C24/04
• 分類號: C23C24/04;C23C28/00;C25D11/04;C25D11/34
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

1.一種制品，所述制品包括：

部件，所述部件用于制造腔室；

涂層，在所述部件上；以及

陽極化層，所述陽極化層形成在所述涂層上，所述陽極化層具有約2-10密爾的厚度，其中，所述陽極化層包括低孔隙率層部分和多孔的柱狀層部分，所述低孔隙率層部分具有大于99％的密度，所述多孔的柱狀層部分具有比所述低孔隙率層部分更高的孔隙率并且包含多個具有約10-50nm的直徑的柱狀納米孔隙。

2.如權利要求1所述的制品，其中，所述涂層是金屬冷噴涂層。

3.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述制品進一步包括在所述部件和所述涂層之間的阻擋層。

4.如權利要求3所述的制品，其中，所述阻擋層具有約0.1微米至5微米范圍中的厚度。

5.如權利要求3所述的制品，其中，所述部件包含鋁或鈦中的第一個，其中所述涂層包含鋁或鈦中的第二個，并且其中所述阻擋層包含鋁和鈦的固溶體。

6.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述部件包含以下各者中的至少一者：鋁、鋁合金、不銹鋼、鈦、鈦合金、鎂或鎂合金。

7.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述涂層包含鋁、鋁合金、鈦、鈦合金、鈮、鈮合金、鋯、鋯合金、銅或銅合金。

8.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述多孔的柱狀層部分具有約40-50％的孔隙率。

9.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述部件具有約120微英寸的平均表面粗糙度。

10.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述涂層包含第一金屬和第二金屬的梯度。

11.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述涂層具有約0.2mm至5.0mm的厚度，并且具有小于約20微英寸的平均表面粗糙度。

12.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述涂層沒有氧化物夾雜。

13.如權利要求1或2所述的制品，其中，所述部件是噴淋頭、陰極套管、套管襯墊門、陰極基座、腔室內襯或靜電卡盤基座。

14.一種制品，所述制品包括制造腔室的部件、所述部件的表面上的涂層以及所述涂層上的陽極化層，所述制品通過包括以下步驟的過程被制造：

在所述部件的所述表面上沉積涂層；以及

陽極化所述涂層以形成陽極化層，所述陽極化層具有約2-10密耳的厚度，其中陽極化所述涂層包括：

在所述陽極化的開始期間施加第一電流密度以形成所述陽極化層的低孔隙率層部分，所述低孔隙率層部分具有大于約99％的密度；以及

在所述陽極化的剩余時期期間施加低于所述第一電流密度的第二電流密度以形成所述陽極化層的多孔的柱狀層部分，所述多孔的柱狀層部分具有比所述低孔隙率層部分更高的孔隙率并且包含多個具有約10-50nm的直徑的柱狀納米孔隙。

15.如權利要求14所述的制品，其中，所述陽極化層的所述多孔的柱狀層部分具有約40-50％的孔隙率。