[發(fā)明專利]一種低應(yīng)力三維陶瓷基板及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910308743.8
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN110034089A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉松坡;黃衛(wèi)軍;劉學(xué)昌
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢利之達科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/15;H01L21/48
• 代理公司: 湖北高韜律師事務(wù)所 42240
• 代理人: 鄢志波

1.一種低應(yīng)力三維陶瓷基板，由平面陶瓷基板及其上部金屬圍壩組成，其特征在于，所述金屬圍壩通過復(fù)合電鍍技術(shù)直接生長在所述平面陶瓷基板上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應(yīng)力三維陶瓷基板，其特征在于所述金屬圍壩結(jié)構(gòu)中含有均勻分布的陶瓷顆粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低應(yīng)力三維陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷顆粒材料為氧化鋁、二氧化硅、碳化硅、氮化硅中一種或者幾種組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低應(yīng)力三維陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷顆粒平均直徑為0.1-100μm，其中優(yōu)選平均直徑為0.1-10μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應(yīng)力三維陶瓷基板，其特征在于所述金屬圍壩厚度為0.3-3.0mm，其中優(yōu)選厚度為0.5-1.0mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應(yīng)力三維陶瓷基板，其特征在于所述金屬圍壩結(jié)構(gòu)為封閉環(huán)形，具體可為圓形環(huán)、方形環(huán)或其他閉合環(huán)形。

7.一種低應(yīng)力三維陶瓷基板制備方法，其特征在于，具有以下工藝步驟：

步驟一，通過激光打孔、濺射種子層、曝光顯影，圖形電鍍等工藝，制備具有圖案化的平面電鍍陶瓷基板；

步驟二，通過向金屬電鍍液中添加陶瓷顆粒以及分散劑，配制得到復(fù)合電鍍液；

步驟三，通過在所述平面電鍍陶瓷基板上貼覆干膜，然后通過多次曝光、顯影、復(fù)合電鍍等工藝，制備出具有金屬復(fù)合圍壩的三維陶瓷基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種低應(yīng)力三維陶瓷基板制備方法，其特征在于，所述步驟二中配制所述復(fù)合電鍍液時，在所述金屬電鍍液中添加10％-30％重量比陶瓷顆粒。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種低應(yīng)力三維陶瓷基板制備方法，其特征在于，所述步驟二中配制復(fù)合電鍍液時，在所述金屬電鍍液中添加0.5-3.0％重量比分散劑。