[發明專利]基板支撐架以及基板處理裝置

在審

• 申請號: 201910307670.0
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN110854055A
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發明（設計）人: 趙栽訓;田容百;曹奎泰;孫振熊
• 申請（專利權）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

1.一種基板支撐架，包括：

底座，內部形成有吸附電極，進而通過靜電力吸附以及保持基板；

氣孔，在所述底座的中心部上下貫通所述底座，以使吹掃氣體供應于所述底座的上面與所述基板的下面之間；

凹槽，在所述底座上面形成凹陷的流道形狀誘導通過所述氣孔供應的所述吹掃氣體從所述底座的中心區域擴散到邊緣區域，進而在進行處理所述基板的工藝時隔絕工藝氣體流到所述底座的上面與所述基板下面之間；

壓花，形成多個所述壓花以在所述底座上面形成凸出圖形來支撐所述基板，并且間隔固定間隔距離以使在所述凸出圖形上支撐的所述基板的下面向所述凸出圖形之間開放，誘導通過所述凹槽擴散的所述吹掃氣體通過所述凸出圖形之間擴散到在所述凸出圖形上支撐的所述基板的下面外側。

2.根據權利要求1所述的基板支撐架，其特征在于，

所述壓花包括：

第一壓花，為了在所述底座的所述中心區域支撐所述基板，形成在所述中心區域的所述凸出圖形在所述底座的上面以第一間隔距離間隔配置多個所述第一壓花并且形成具有第一直徑的圓筒形狀；

第二壓花，為了在所述底座的邊緣區域支撐所述基板，形成在所述邊緣區域的所述凸出圖形在所述底座的上面配置成包圍多個所述第一壓花的形狀，并且以第二間隔距離間隔配置多個所述第二壓花形成具有第二直徑的圓筒形狀。

3.根據權利要求2所述的基板支撐架，其特征在于，

所述第一壓花的所述第一直徑與所述第二壓花的第二直徑形成相同大小，所述第二壓花的所述第二間隔距離小于所述第一壓花的所述第一間隔距離。

4.根據權利要求3所述的基板支撐架，其特征在于，

所述第一壓花，

在所述底座上面的所述中心區域多個所述第一壓花具有19mm至20mm的所述第一間隔距離并且配置成三角形或者網格形狀；

所述第二壓花，

以所述底座的中心軸為基準以所述第二間隔距離等角配置5度左右形成放射狀，以配置成包圍多個所述第一壓花的環形狀。

5.根據權利要求2所述的基板支撐架，其特征在于，

所述第一壓花的所述第一間隔距離與所述第二壓花的所述第二間隔距離形成相同間隔距離；所述第一壓花的所述第一直徑小于所述第二壓花的所述第二直徑。

6.根據權利要求5所述的基板支撐架，其特征在于，

所述第一壓花形成2.5mm至2.6mm的所述第一直徑的圓筒形狀；

所述第二壓花形成2.95mm至3.05mm的所述第二直徑的圓筒形狀。

7.根據權利要求1所述的基板支撐架，其特征在于，

所述凹槽包括：

第一中心凹槽，在所述底座上面的所述中心區域形成圓弧形狀或者環形狀，并且與所述氣孔連接；

第二中心凹槽，在所述底座上面的所述中心區域形成包圍所述第一中心凹槽的環形狀；以及

邊緣凹槽，在所述底座上面的所述邊緣區域形成包圍所述第二中心凹槽的環形狀。

8.根據權利要求7所述的基板支撐架，其特征在于，

所述凹槽包括：

第一連接凹槽，連接所述氣孔與所述第一中心凹槽；

多個第二連接凹槽，以所述底座的中心軸為基準等角配置成放射狀，并且連接所述第一中心凹槽與所述第二中心凹槽。

9.根據權利要求1所述的基板支撐架，其特征在于，

所述凹槽，

橫截面寬度為2mm至4mm，深度為50μm至100μm。

10.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

工藝腔室，形成可處理基板的內部空間；

基板支撐架，設置在所述工藝腔室的所述內部空間，進而支撐所述基板；以及

噴頭，設置在所述工藝腔室的上部，以與所述基板支撐架相互面對，進而向所述基板支撐架噴射工藝氣體；

其中，所述基板支撐架包括：

底座，內部形成有吸附電極，進而通過靜電力吸附以及保持基板；

氣孔，在所述底座的中心部上下貫通所述底座，以使吹掃氣體供應于所述底座的上面與所述基板的下面之間；

凹槽，在所述底座上面形成凹陷的流道形狀以誘導通過所述氣孔供應的所述吹掃氣體從所述底座的中心區域擴散到邊緣區域，進而在進行處理所述基板的工藝時隔絕工藝氣體流到所述底座的上面與所述基板下面之間；

壓花，形成多個所述壓花以在所述底座上面形成凸出圖形來支撐所述基板，并且間隔固定間隔距離以使在所述凸出圖形上支撐的所述基板的下面向所述凸出圖形之間開放，誘導通過所述凹槽擴散的所述吹掃氣體通過所述凸出圖形之間擴散到在所述凸出圖形上支撐的所述基板的下面外側。