[發明專利]包括標準單元的集成電路在審
| 申請號: | 201910307666.4 | 申請日: | 2019-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN110838484A | 公開(公告)日: | 2020-02-25 |
| 發明(設計)人: | R.阿茲馬特;S.拉斯托吉;樸哲弘;梁在錫;千寬永 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 標準 單元 集成電路 | ||
一種包括標準單元的集成電路包括:多個第一阱,以第一寬度沿第一水平方向延伸并具有第一導電類型;以及多個第二阱,以第二寬度沿第一水平方向延伸并具有第二導電類型,其中所述多個第一阱和所述多個第二阱在與第一水平方向正交的第二水平方向上交替布置,當m和n是大于或等于3的整數時,標準單元具有第二水平方向上的長度,該長度等于第一寬度的一半的m倍與第二寬度的一半的n倍之和。
技術領域
本發明構思涉及集成電路,更具體地,涉及包括標準單元的集成電路和制造集成電路的方法。
背景技術
集成電路可以包括多個標準單元。集成電路可以包括提供相同功能的標準單元,并且可以包括提供不同功能的標準單元。此外,集成電路可以包括提供相同功能與不同特性的標準單元,并且可以包括例如在執行相同功能的多個標準單元之中基于例如操作速度、功耗、面積等選擇的標準單元。根據半導體工藝的發展,可以提供具有減小的面積的標準單元,但是為了滿足期望的要求,例如期望的操作速度,在給定的半導體工藝中制造的集成電路可能需要提供高的電流驅動能力的大面積標準單元。
發明內容
本發明構思涉及包括標準單元的集成電路,并提供了提供高的電流驅動能力和高效結構的標準單元、包括該標準單元的集成電路、以及制造集成電路的方法。
根據本發明構思的一方面,提供了一種包括標準單元的集成電路,該集成電路包括:沿第一水平方向延伸的多個第一阱,所述多個第一阱具有第一寬度和第一導電類型;以及沿第一水平方向延伸的多個第二阱,所述多個第二阱具有第二寬度和第二導電類型,其中所述多個第一阱和所述多個第二阱在與第一水平方向正交的第二水平方向上交替布置,以及其中標準單元具有第二水平方向上的長度,該長度等于第一寬度的一半的m倍與第二寬度的一半的n倍之和,其中m和n是大于或等于3的整數。
根據本發明構思的另一方面,提供了一種包括標準單元的集成電路,該集成電路包括:多個第一電源線,沿第一水平方向延伸并被施加第一供電電壓;以及多個第二電源線,沿第一水平方向延伸并被施加第二供電電壓,其中所述多個第一電源線和所述多個第二電源線在與第一水平方向正交的第二水平方向上以相等的間隔交替布置,標準單元具有第二水平方向上的長度,該長度大于或等于彼此相鄰的第一電源線和第二電源線之間的節距的三倍。
根據本發明構思的另一方面,提供了一種包括標準單元的集成電路,該標準單元包括:至少兩個第一有源區,具有第一導電類型并沿第一水平方向延伸;至少兩個第二有源區,具有第二導電類型并沿第一水平方向延伸;以及第一柵極線,沿與第一水平方向正交的第二水平方向延伸,第一柵極線在所述至少兩個第一有源區上形成晶體管,其中所述至少兩個第一有源區和所述至少兩個第二有源區在第二水平方向上交替布置。
附圖說明
附于本說明書的附圖可能按不準確的比例繪制并且可能夸大或縮小部件以便于繪圖。
本發明構思的實施方式將由以下結合附圖的詳細描述被更清楚地理解,附圖中:
圖1A和1B示出根據本發明構思的示例實施方式的集成電路(IC);
圖2A至2D示出根據本發明構思的示例實施方式的IC;
圖3A和3B示出根據本發明構思的示例實施方式的IC;
圖4和5示出根據本發明構思的示例實施方式的IC;
圖6示出根據本發明構思的一示例實施方式的IC;
圖7示出根據本發明構思的一示例實施方式的擴散中斷部;
圖8A和8B示出根據本發明構思的示例實施方式的IC;
圖9示出根據本發明構思的一示例實施方式的IC;
圖10是根據本發明構思的一示例實施方式的制造IC的方法的流程圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





