[發(fā)明專利]選擇性增強正面鈍化的PERC太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910306872.3
• 申請日: 2019-04-17
• 公開（公告）號: CN110212037A
• 公開（公告）日: 2019-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方結(jié)彬;林綱正;張小明
• 申請（專利權(quán)）人: 天津愛旭太陽能科技有限公司;浙江愛旭太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 侯莉

1.一種選擇性增強正面鈍化的PERC太陽能電池，包括背銀電極、全鋁背場或鋁柵線、背面鈍化膜、P型硅、N型硅、正面鈍化膜和正銀電極，在所述P型硅的背面上依次設(shè)有所述背面鈍化膜、全鋁背場或鋁柵線、背銀電極，在所述背面鈍化膜上開有貫通背面鈍化膜的開槽，所述P型硅露于所述開槽中，所述全鋁背場或鋁柵線位于開槽內(nèi)的部分與所述P型硅相連，其特征在于：在所述P型硅的正面上依次設(shè)有增強鈍化膜、正面鈍化膜和正銀電極，且所述增強鈍化膜位于P型硅上對應(yīng)正銀電極的區(qū)域，所述增強鈍化膜為N型薄膜，在P型硅的正面上對應(yīng)正銀電極以外的區(qū)域與正面鈍化膜之間設(shè)有N型硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性增強正面鈍化的PERC太陽能電池，其特征在于：在所述P型硅和N型薄膜之間設(shè)有對應(yīng)正銀電極區(qū)域的隧道氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的選擇性增強正面鈍化的PERC太陽能電池，其特征在于：所述N型薄膜為多晶硅薄膜或碳化硅薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的選擇性增強正面鈍化的PERC太陽能電池，其特征在于：所述N型薄膜的厚度是5～50nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4任一項所述的選擇性增強正面鈍化的PERC太陽能電池，其特征在于：所述隧道氧化層的厚度是5～10nm。

6.一種權(quán)利要求1所述選擇性增強正面鈍化的PERC太陽能電池的制備方法，其特征在于具體包括以下步驟：

⑴在P型硅的正面上形成N型薄膜；

⑵在N型薄膜上沉積氮化硅膜；

⑶對步驟⑵所得產(chǎn)品的正面進行激光刻蝕，去除對應(yīng)正銀電極以外區(qū)域的N型薄膜和氮化硅膜；

⑷在步驟⑶所得產(chǎn)品的正面上制絨，擴散磷源形成N型硅；

⑸去除在擴散過程中形成的磷硅玻璃和周邊PN結(jié)，并去除對應(yīng)正銀電極區(qū)域的氮化硅膜，再對產(chǎn)品的背面進行刻蝕；

⑹對由步驟⑸所得產(chǎn)品進行退火；

⑺在由步驟⑹所得產(chǎn)品的正面和背面上分別沉積正面鈍化膜和背面鈍化膜；

⑻在由步驟⑺所得產(chǎn)品的背面上激光開槽貫通背面鈍化膜，使P型硅露于開槽中；

⑼在由步驟⑻所得產(chǎn)品的背面印刷背銀電極漿料并烘干；

⑽在由步驟⑼所得產(chǎn)品的背面印刷鋁漿并烘干；

⑾在由步驟⑽所得產(chǎn)品正面的N型薄膜上印刷正銀電極漿料并烘干；

⑿對由步驟⑾所得產(chǎn)品進行高溫?zé)Y(jié)，形成背銀電極、全鋁背場或鋁柵線和正銀電極，全鋁背場或鋁柵線通過開槽與P型硅相連；

⒀對由步驟⑿所得產(chǎn)品進行抗LID退火。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：在形成N型薄膜之前，先在P型硅的正面上形成隧道氧化層，再在隧道氧化層上形成N型薄膜，并在所述步驟⑷的制絨過程中，對應(yīng)正銀電極以外區(qū)域的隧道氧化層被去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于：完成步驟⑶后，留存于對應(yīng)正銀電極區(qū)域的隧道氧化層和N型薄膜的面積大于正銀電極的面積。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于：所述隧道氧化層采用熱氧化工藝、熱硝酸氧化工藝或者臭氧氧化工藝制備而成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于：所述N型薄膜采用低壓化學(xué)氣相沉積法或等離子增強化學(xué)氣相沉積法制備而成，工藝氣體為PH3和SiH4，或PH3、SiH4和CH4。