[發明專利]一種磁盤數據保持能力測試方法及相關裝置

有效

• 申請號: 201910304980.7
• 申請日: 2019-04-16
• 公開（公告）號: CN110010163B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 王朋
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G11B20/18
• 分類號: G11B20/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本發明公開了一種磁盤數據保持能力測試方法、系統、裝置及計算機可讀存儲介質，對第一預設溫度范圍內的第一測試樣本進行不間斷測試，是其P/E達到100％，再對該第一測試樣本在第二預設溫度范圍內進行全盤校驗寫操作得到第一待校驗磁盤，通過對常溫下放至第一預設時間的第一待校驗磁盤進行寫校驗來確定發生數據丟失的第一失效磁盤數，并以此判斷第一測試樣本對應的所有待測磁盤的數據保存能力是否合格。可見，在本方案中，對測試樣本進行測試之前需要在不同溫度進行不同的測試操作，從而使測試樣本更接近真實的數據保存期范圍內最大消耗狀態的磁盤，從而可以對磁盤進行數據保持能力的測試，且測試結果也更加準確。

技術領域

本發明涉及磁盤技術領域，更具體地說，涉及一種磁盤數據保持能力測試方法、系統、裝置及計算機可讀存儲介質。

背景技術

NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

由于NAND閃存本身介質的特性，電荷會隨著時間的流逝而發生泄漏，最終會導致數據出錯或不能被正常讀出。

浮柵晶體管是NAND基本單元，它的結構最上面是控制層，中間是浮柵層，浮柵上面是多晶硅氧化層。控制電壓很高的時候，會產生量子隧穿效應，電子從襯底substrate出發，穿過隧道氧化層，進入浮柵保存起來，就完成了寫操作。反之，在控制層加很強的負電壓，電子就從浮柵量子隧穿，回到襯底，這個操作叫做擦除。不過，控制層不加電壓的時候，在氧化層依然有一個電場產生，叫做本征電場，它是由浮柵里面的電子產生的。在這個電場的作用下，電子會從浮柵慢慢泄漏，泄漏量較大時，數據就會發生錯誤。從寫入操作，到電子慢慢泄漏，直到數據出錯，這個期限叫做數據保存期，數據保存期體現了磁盤的數據保持能力，即不丟失數據的能力，為了磁盤使用的可靠性，對數據保持能力的檢測十分重要。

因此，如何準確的測試磁盤數據保持能力，是本領域技術人員需要解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種磁盤數據保持能力測試方法、系統、裝置及計算機可讀存儲介質，以解決如何準確的測試磁盤數據保持能力的問題。

為實現上述目的，本發明實施例提供了如下技術方案：

一種磁盤數據保持能力測試方法，包括：

在待測磁盤中確定第一測試樣本，對第一預設溫度范圍內的所述第一測試樣本進行不間斷負載測試，使所述第一測試樣本的P/E值均達到100％；

在第二預設溫度范圍內對P/E值達到100％的所述第一測試樣本進行全盤校驗寫操作，得到第一待校驗磁盤；其中，所述第二預設溫度范圍的最小值大于所述第一預設溫度范圍最大值，且差值為第一預設數值；

對在常溫下放置第一預設時間的所述第一待校驗磁盤進行寫校驗操作，確定發生數據丟失的第一失效磁盤數；

利用所述第一失效磁盤數與預設磁盤失效率確定所述待測磁盤的數據保存能力是否合格。

其中，所述第一預設范圍為小于或等于25攝氏度；所述第二預設溫度范圍為40攝氏度。

其中，所述第一預設時間為大于或等于50h的時間。

其中，所述利用所述第一失效磁盤數與預設磁盤失效率確定所述待測磁盤的數據保存能力是否合格之前，還包括：

在所述待測磁盤中確定第二測試樣本，對第三預設溫度范圍內的所述第二測試樣本進行不間斷負載測試，使所述第二測試樣本的P/E值均達到100％；其中，所述第三預設溫度范圍的最小值大于所述第一預設溫度范圍的最大值，且差值為第二預設數值，所述第二預設數值大于所述第一預設數值；