[發明專利]一種控制電路、電壓源電路、驅動裝置和驅動方法

有效

• 申請號: 201910304610.3
• 申請日: 2019-04-16
• 公開（公告）號: CN110071620B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 陳東;石磊;王朝輝
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 王仲凱

1.一種控制電路，其特征在于，包括：

檢測模塊，用于檢測半導體開關器件當前的工作條件；

確定模塊，用于根據所述檢測模塊檢測到的工作條件確定所述半導體開關器件的門極允許電壓；

輸出模塊，用于根據所述確定模塊確定的所述門極允許電壓向所述半導體開關器件的驅動供電電路輸出控制信號，以控制所述驅動供電電路為所述半導體開關器件提供的門極導通電壓不高于所述門極允許電壓，并且與所述門極允許電壓正相關；

第一門極允許電壓確定子模塊，用于根據所述檢測模塊檢測到的工作條件確定所述門極允許電壓的第一值，所述第一值不高于所述半導體開關器件的門極擊穿電壓；

所述第一門極允許電壓確定子模塊包括：

門極擊穿電壓確定單元，用于根據所述檢測模塊檢測到的工作條件確定所述半導體開關器件的門極擊穿電壓；

第一門極允許電壓確定單元，用于根據所述門極擊穿電壓確定單元確定的門極擊穿電壓和預設的第一裕量確定所述第一值。

2.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述確定模塊還包括：

第二門極允許電壓確定子模塊，用于根據所述半導體開關器件的導電溝道兩端之間的允許電壓和所述檢測模塊檢測到的工作條件確定所述門極允許電壓的第二值；

第三門極允許電壓確定子模塊，用于根據所述第一門極允許電壓確定子模塊確定的第一值和所述第二門極允許電壓確定子模塊確定的第二值中的較小值確定所述門極允許電壓。

3.根據權利要求2所述的控制電路，其特征在于，所述確定模塊還包括：

溝道允許電壓確定子模塊，用于根據所述檢測模塊檢測到的工作條件確定所述導電溝道兩端之間的允許電壓，所述導電溝道兩端之間的允許電壓不高于所述導電溝道兩端之間的擊穿電壓。

4.根據權利要求3所述的控制電路，其特征在于，所述溝道允許電壓確定子模塊包括：

溝道擊穿電壓確定單元，用于根據所述檢測模塊檢測到的工作條件確定所述導電溝道兩端之間的擊穿電壓；

溝道允許電壓確定單元，用于根據所述溝道擊穿電壓確定單元確定的導電溝道兩端之間的擊穿電壓和預設的第二裕量確定所述導電溝道兩端之間的允許電壓。

5.根據權利要求2所述的控制電路，其特征在于，所述半導體開關器件為金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET，所述導電溝道兩端包括所述MOSFET的漏極和源極；

或者，所述半導體開關器件為絕緣柵雙極型晶體管IGBT，所述導電溝道兩端包括所述IGBT的集電極和發射極。

6.根據權利要求3所述的控制電路，其特征在于，所述半導體開關器件為金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET，所述導電溝道兩端包括所述MOSFET的漏極和源極；

或者，所述半導體開關器件為絕緣柵雙極型晶體管IGBT，所述導電溝道兩端包括所述IGBT的集電極和發射極。

7.根據權利要求4所述的控制電路，其特征在于，所述半導體開關器件為金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET，所述導電溝道兩端包括所述MOSFET的漏極和源極；

或者，所述半導體開關器件為絕緣柵雙極型晶體管IGBT，所述導電溝道兩端包括所述IGBT的集電極和發射極。

8.根據權利要求1所述的控制電路，其特征在于，所述工作條件包括所述半導體開關器件的工作溫度，或者，所述半導體開關器件的工作溫度和工作電流，或者，所述半導體開關器件的工作溫度和工作平臺電壓，或者，所述半導體開關器件的工作溫度、工作電流和工作平臺電壓。

9.根據權利要求2所述的控制電路，其特征在于，所述工作條件包括所述半導體開關器件的工作溫度，或者，所述半導體開關器件的工作溫度和工作電流，或者，所述半導體開關器件的工作溫度和工作平臺電壓，或者，所述半導體開關器件的工作溫度、工作電流和工作平臺電壓。