[發(fā)明專利]一種電容器及其形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910302712.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-04-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111834527A | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡連峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L49/02 | 分類號(hào)： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律師事務(wù)所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電容器 及其 形成 方法 | ||
1.一種電容器的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供第一金屬層，在所述第一金屬層上形成具有間隔的第一極板層圖案；
在所述第一極板層圖案的側(cè)壁及所述第一極板層圖案遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)，沿遠(yuǎn)離所述第一極板層圖案的方向依次沉積介質(zhì)層和第二極板層圖案；
在所述第一金屬層上的所述第二極板層圖案的間隔中形成具有通孔的隔離層；
在所述通孔內(nèi)沉積第二金屬層，所述第二金屬層分別與所述第二極板層圖案和所述第一金屬層接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器的形成方法，其特征在于，提供第一金屬層，在所述第一金屬層上形成具有間隔的第一極板層圖案，包括：
提供襯底，在所述襯底上鍍金屬材料，形成所述第一金屬層；
在所述第一金屬層上沉積第一極板層；
在所述第一極板層上形成第一光刻膠圖案，刻蝕所述第一極板層，形成所述第一極板層圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器的形成方法，其特征在于，在所述第一極板層圖案的側(cè)壁及所述第一極板層圖案遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)，沿遠(yuǎn)離所述第一極板層圖案的方向依次沉積介質(zhì)層和第二極板層圖案，包括：
在所述第一極板層圖案的側(cè)壁、所述第一極板層圖案遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)及所述第一極板層圖案的間隔對(duì)應(yīng)的所述第一金屬層上沉積所述介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)沉積第二極板層；
在所述第一極板層圖案遠(yuǎn)離所述第一金屬層一側(cè)的所述第二極板層上形成第二光刻膠圖案；
刻蝕去除所述第二光刻膠圖案之間的所述第一金屬層上的所述介質(zhì)層和所述第二極板層，形成所述第二極板層圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器的形成方法，其特征在于，在所述第一金屬層上的所述第二極板層圖案的間隔中形成具有通孔的隔離層，包括：
在所述第二極板層圖案的側(cè)壁、所述第二極板層圖案遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)及所述第二極板層圖案之間的所述第一金屬層上沉積隔離材料；
在所述隔離材料上遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)形成第三光刻膠圖案；
刻蝕所述隔離材料，形成具有通孔的所述隔離層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容器的形成方法，其特征在于，在所述第一金屬層上的所述第二極板層圖案的間隔中形成具有通孔的隔離層，還包括：
在至少一個(gè)所述第二極板層圖案的間隔之間形成通孔，且在所述第二極板層圖案遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)形成通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電容器的形成方法，其特征在于，所述隔離層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)高于所述第二極板層圖案，所述隔離層與所述第二極板層圖案和所述第二金屬層接觸，在遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)，所述第二金屬層與所述隔離層平齊；且在所述第一金屬層的延伸方向上，所述第二金屬層的寬度小于或等于所述第二極板層圖案的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器的形成方法，其特征在于，在所述第二極板層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)沉積第二金屬層后，還包括：
對(duì)第二金屬層進(jìn)行拋光。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器的形成方法，其特征在于，
所述第一極板層圖案、所述第二極板層圖案的材料為氮化金屬；
所述介質(zhì)層的材料為三元氧化物和二元氧化物中的至少一種；
所述隔離層的材料為氧化硅或氮化硅。
9.一種電容器，其特征在于，所述電容器基于權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的電容器的形成方法制成，所述電容器包括所述第一金屬層，所述第一金屬層上具有間隔的所述第一極板層圖案；
所述第一極板層圖案的側(cè)壁及所述第一極板層圖案遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)，沿遠(yuǎn)離所述第一極板層圖案的方向依次沉積有所述介質(zhì)層和所述第二極板層圖案；
所述第一金屬層上的所述第二極板層圖案的間隔中設(shè)置有具有通孔的所述隔離層；
所述通孔內(nèi)沉積有所述第二金屬層，所述第二金屬層分別與所述第二極板層圖案和所述第一金屬層接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容器，其特征在于，所述通孔包括在至少一個(gè)所述第二極板層圖案的間隔之間形成的通孔，及在所述第二極板層圖案遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)形成的通孔。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司，未經(jīng)中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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