[發明專利]一種電場輔助原子力顯微鏡納米刻蝕方法在審
| 申請號： | 201910301623.5 | 申請日： | 2019-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN110171800A | 公開（公告）日： | 2019-08-27 |
| 發明（設計）人： | 劉增磊;高愛蓮 | 申請（專利權）人： | 劉增磊 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 473004 河*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 原子力顯微鏡 針尖 基底 電場輔助 接觸電阻 控制電流 納米材料 施加電流 焦耳熱 溝痕 可用 裁剪 施加 加工 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于原子力顯微鏡電場加工的納米刻蝕方法，其特征是：利用焦耳熱引起納米材料的融化實現刻蝕加工的效果。
2.根據權利要求1所述的納米刻蝕方法，其特征是：以原子力顯微鏡為主要加工工具。
3.根據權利要求1所述的納米刻蝕方法，其特征是：通過控制針尖和樣品之間的電流來控制產生的焦耳熱大小。
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