[發明專利]一種新型多晶硅摻雜P擴散制備工藝方法

在審

• 申請號: 201910301512.4
• 申請日: 2019-04-12
• 公開（公告）號: CN110047972A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 吳王平;張屹;王翔;袁寧一;丁建寧
• 申請（專利權）人: 常州大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型多晶硅摻雜P擴散制備工藝方法，其特征在于擴散制備工藝步驟為1）進爐；2）抽真空；3）檢漏；4）恒溫穩定；5）低溫氣體反應淀積；6）升溫雜質再分布；7）高溫推進；8）降溫氧化；9）釋放真空；10）出爐；11）清洗。

2.依據權利要求1所述的擴散制備工藝方法，其特征在于1）進爐步驟為溫度維持在700-800℃，氮氣流量為1500-3000sccm，時間約8-10min。

3.依據權利要求1所述的擴散制備工藝方法，其特征在于2）抽真空步驟為溫度維持在700-800℃，氮氣流量為 1500-3000sccm，壓力為400-500Pa，時間約3-5min。

4.依據權利要求1所述的擴散制備工藝方法，其特征在于3）檢漏步驟為時間約30-60s，壓力為400-500Pa；4）恒溫穩定步驟為溫度維持在750-780℃，時間約2-3min，壓力為400-500Pa。

5.依據權利要求1所述的擴散制備工藝方法，其特征在于5）低溫氣體反應淀積步驟為溫度維持在750-780℃，通入氮氣流量1500-2000sccm，干氧流量500-1000 sccm，以及高濃度的小氮攜帶POCl3流量1000-1500sccm，時間約30-50min；壓力為175-200Pa。

6.依據權利要求1所述的擴散制備工藝方法，其特征在于6）升溫雜質再分布步驟為溫度升到850-900℃，通入氮氣流量 1500-3000sccm，時間約10-20min，壓力為200-300Pa。

7.依據權利要求1所述的擴散制備工藝方法，其特征在于7）高溫推進步驟為溫度維持在850-900℃，通入氮氣流量 1500-3000sccm，時間約30-60min，壓力為200-300Pa；8）降溫氧化步驟為溫度降至700-750℃，通入氮氣流量 1500-3000sccm，時間約30-60min，壓力為400-500Pa，干氧流量500-1000 sccm。

8.依據權利要求1所述的擴散制備工藝方法，其特征在于9）釋放真空步驟為時間約5min， 10）出爐步驟為溫度維持在700-750℃，通入氮氣流量1500-3000sccm，時間約8-10min，11）清洗步驟為去離子水清洗，時間約15s。