[發明專利]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201910300560.1 | 申請日: | 2019-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN110047889B | 公開(公告)日: | 2022-02-15 |
| 發明(設計)人: | 許傳志;謝正芳;胡思明;張露 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 文小莉;劉芳 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明提供一種顯示面板和顯示裝置,顯示面板包括設置在陣列基板上的若干個發光單元和像素限定層,以及位于所述發光單元之上的濾光層和黑矩陣,還包括:薄膜封裝層,且所述薄膜封裝層和/或所述像素限定層具有凹凸界面,本發明提供的顯示面板,降低了外接環境光的反射率,確保了顯示面板的顯示效果,解決了現有面板中由于外界環境光的反射率較高而造成顯示面板顯示效果受到極大影響的問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板和顯示裝置。
背景技術
顯示屏已被廣泛用于便攜式電子器件(例如可以用于移動通訊終端、平板電腦、電子書以及導航設備)以及大屏化電子裝置等諸多領域,其中,有機發光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,簡稱:OLED)因具有低功耗、高色飽和度、廣視角、薄厚度、能實現柔性化等優異性逐漸被應用到顯示屏中。
目前,OLED顯示屏中,具體采用BM-CF技術在薄膜封裝層上形成濾光片(ColorFilter,簡稱:CF)和黑矩陣(Black Matrix,簡稱:BM)來代替圓偏光片(由于偏光片又厚又硬),其中,黑矩陣作為顏色界定結構進行遮光,濾光片用于將與濾光片顏色相同的光線透過,設置時,BM和CF往往設置在薄膜封裝層上,且BM將各個CF隔開。
然而,上述顯示面板在使用過程中,存在環境光反射率較高的問題,使得顯示面板的顯示效果受到影響。
發明內容
為了解決背景技術中提到的至少一個問題,本發明提供一種顯示面板和顯示裝置,減少了反射光的出射量,降低了反射率。
為了實現上述目的,本發明提供一種顯示面板,包括設置在陣列基板上的若干個發光單元和像素限定層,以及位于所述發光單元之上的濾光層和黑矩陣,其中,還包括:
薄膜封裝層,且所述薄膜封裝層和/或所述像素限定層具有凹凸界面。
本發明提供的顯示面板,通過所述薄膜封裝層和/或所述像素限定層具有凹凸界面,所述凹凸界面用于將照射到所述顯示面板上的入射光進行漫反射和折射,這樣照射到顯示面板上的入射光在凹凸界面處漫反射和折射,最終使得入射光的光路發生變化,造成部分入射光不進入顯示面板內部進行反射,或者部分入射光折折射進入顯示面板內部進行反射,而反射光線被黑矩陣進行遮擋,從而減少了反射光的出射量,降低了外界環境光的反射率,確保了顯示面板的顯示效果,因此,本實施例提供的顯示面板,降低了外接環境光的反射率,確保了顯示面板的顯示效果,解決了現有面板中由于外界環境光的反射率較高而造成顯示面板顯示效果受到極大影響的問題。
在上述的顯示面板中,可選的是,所述凹凸界面至少包括若干個弧形凸面。
在上述的顯示面板中,可選的是,相鄰兩個所述弧形凸面之間形成凹陷部,或者,相鄰兩個所述弧形凸面之間通過弧形凹面相連,且所述弧形凸面和所述弧形凹面相連形成波浪狀的所述凹凸界面。
在上述的顯示面板中,可選的是,所述薄膜封裝層包括層疊設置的第一無機膜層、有機膜層和第二無機膜層,所述第一無機膜層設在所述發光單元和所述像素限定層上,且所述第一無機膜層、有機膜層和第二無機膜層中的其中一個上形成所述凹凸界面。
在上述的顯示面板中,可選的是,所述濾光層和所述黑矩陣設在所述有機膜層和所述第二無機膜層之間,或者所述濾光層和所述黑矩陣設在所述有機膜層內,或者,所述濾光層和所述黑矩陣設在所述有機膜層和所述第一無機膜層之間。
在上述的顯示面板中,可選的是,所述有機膜層中朝向所述濾光層的一面形成所述凹凸界面,且所述凹凸界面上設有可透光的且折射率小于所述有機膜層的無機界面層,所述濾光層和所述黑矩陣設在所述無機界面層上,或者,
所述有機膜層朝向所述第二無機膜層的一面形成所述凹凸界面,且所述凹凸界面上設有可透光的且折射率小于所述有機膜層的無機界面層,所述第二無機膜層設在所述無機界面層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





