[發明專利]一種六面粗化的紅外LED芯片及制作方法

在審

• 申請號: 201910299134.0
• 申請日: 2019-04-15
• 公開（公告）號: CN109962130A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 徐洲;王洪占;彭鈺仁;張國慶;陳凱軒;蔡端俊
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20;H01L33/38
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種六面粗化的紅外LED芯片，其特征在于，所述紅外LED芯片包括：

襯底；

設置在所述襯底正面的外延層，所述外延層包括在所述第一方向上依次設置的N型限制層、MQW有源層、P型限制層和P型窗口層，所述第一方向垂直于所述襯底，且由所述襯底指向所述外延層；

設置在所述P型窗口層背離所述P型限制層一側上的凹槽，所述凹槽形成肖特基勢壘區；

設置在所述凹槽上的ITO指狀電極，其中，所述ITO指狀電極的中心區域大于所述凹槽的開口區域，且所述ITO指狀電極的指狀部分向四周延伸；

設置在所述ITO指狀電極上中心區域的P電極，其中，所述P電極的覆蓋區域小于所述凹槽的開口區域；

設置在所述襯底背面的網格型N電極；

其中，所述外延層暴露在外的表面和側壁以及所述襯底暴露在外的背面和側壁均為粗化面。

2.根據權利要求1所述的紅外LED芯片，其特征在于，所述P型窗口層的厚度為1μm-10μm，包括端點值。

3.根據權利要求1所述的紅外LED芯片，其特征在于，所述P型窗口層包括高摻雜區域和低摻雜區域；

所述低摻雜區域相鄰所述P型限制層，所述高摻雜區域背離所述P型限制層。

4.根據權利要求3所述的紅外LED芯片，其特征在于，所述高摻雜區域的摻雜濃度為1E19/cm³-9.9E19/cm³。

5.根據權利要求3所述的紅外LED芯片，其特征在于，所述低摻雜區域的摻雜濃度為1E18/cm³-9.9E18/cm³。

6.根據權利要求1所述的紅外LED芯片，其特征在于，所述ITO指狀電極的厚度為50nm-500nm，包括端點值。

7.一種六面粗化的紅外LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底正面設置外延層，所述外延層包括在第一方向上依次設置的N型限制層、MQW有源層、P型限制層和P型窗口層，所述第一方向垂直于所述襯底，且由所述襯底指向所述外延層；

對所述P型窗口層進行刻蝕形成凹槽，所述凹槽形成肖特基勢壘區；

在所述凹槽上形成ITO指狀電極，其中，所述ITO指狀電極的中心區域大于所述凹槽的開口區域，且所述ITO指狀電極的指狀部分向四周延伸；

在所述ITO指狀電極上的中心區域形成P電極，其中，所述P電極的覆蓋區域小于所述凹槽的開口區域；

對所述外延層暴露在外的表面進行粗化處理；

生長正面保護層；

在所述襯底背面形成網格型N電極；

對所述襯底暴露在外的背面進行粗化處理；

生長背面保護層；

進行切割處理，以形成單個的LED芯粒；

對所述外延層暴露在外的側壁和所述襯底暴露在外的側壁進行粗化處理，并去除正面保護層；

去除背面保護層。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述對所述外延層暴露在外的表面進行粗化處理，包括：

以所述ITO指狀電極為掩膜，對所述外延層暴露在外的表面進行刻蝕形成臺階；

旋涂光刻膠，以覆蓋所述ITO指狀電極和所述P電極；

對所述外延層暴露在外的表面進行粗化處理；

去除所述光刻膠。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述對所述襯底暴露在外的背面進行粗化處理，包括：

以所述網格型N電極為掩膜，對所述襯底暴露在外的背面進行刻蝕形成臺階；

旋涂光刻膠，以覆蓋所述網格型N電極；

對所述襯底暴露在外的背面進行粗化處理；

去除所述光刻膠。

10.根據權利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述臺階的高度為0.1μm-1μm，包括端點值。