[發明專利]一種p-n異質結構SnSe/SnSe2納米復合材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201910296901.2
• 申請日: 2019-04-12
• 公開（公告）號: CN110006959B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 黃曉;黃維;劉瑤;王曉珊
• 申請（專利權）人: 南京工業大學
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12;C01B19/00
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 吳頻梅

1.一種p-n異質結構SnSe/SnSe₂納米復合材料的應用，其特征在于:所述的SnSe/SnSe2納米復合材料旋涂在電極上，從而制得氣體傳感器，在405 nm激光照射下，SnSe/SnSe₂納米復合材料對NO₂氣體的響應值和恢復速率得到了進一步的提升，其中SnSe/SnSe₂納米復合材料制備方法如下：

（1）稱取18 mg五水合四氯化錫、11 mg二氧化硒，以及20 mg鄰菲羅啉，以10 ml油胺為溶劑，加入一端連接氣體轉換器，一端連接溫度傳感計的100 mL三頸燒瓶中，燒瓶中放入磁子，密封；

（2）先通10min氬氣，抽真空10min，重復3次，在氬氣氛圍下攪拌加熱到110℃，得到淡黃色溶液，保持10min；繼續加熱到260℃，保持30 min，得到黑色產物；

（3）反應結束后自然冷卻，將反應得到的產物離心分離，用乙醇和環己烷洗至少三次，得到SnSe /SnSe2納米花；其中SnSe的摩爾含量為50%。