[發(fā)明專利]一種溶液加工型全熒光白光有機(jī)發(fā)光二極管器件及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910295547.1 | 申請日: | 2019-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN110071221B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘇仕健;龔子峰;劉坤坤 | 申請(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;馮振寧 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 溶液 加工 熒光 白光 有機(jī) 發(fā)光二極管 器件 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種溶液加工型全熒光白光有機(jī)發(fā)光二極管器件及其制備方法。該器件包括襯底、陽極、空穴注入層、緩沖層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極。本發(fā)明采用工序簡單、節(jié)省材料、成本低廉的溶液加工方式,發(fā)光層全部使用不含貴金屬的熒光材料,基于熱活化延遲熒光敏化傳統(tǒng)熒光的機(jī)理,制得高顯色指數(shù)的高效率的白光有機(jī)發(fā)光二極管器件。本發(fā)明是首次在溶液加工型白光器件中運(yùn)用到多熱活化延遲熒光敏化傳統(tǒng)熒光的技術(shù),同時(shí)利用主客體之間高效不充分的F?rster能量轉(zhuǎn)移過程和輔助主體的F?rster能量轉(zhuǎn)移通道的作用,在能量得以充分利用的同時(shí)使發(fā)光層各組分材料的光色得以充分發(fā)射,因此達(dá)到了同時(shí)兼顧光色與效率的效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于有機(jī)光電器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種溶液加工型全熒光白光有機(jī)發(fā)光二極管器件及其制備方法。
背景技術(shù)
自上世紀(jì)60年代人們利用單晶蒽首次觀測到有機(jī)電致發(fā)光現(xiàn)象以來,OLED的研發(fā)便進(jìn)入了一個(gè)高速發(fā)展的階段。1987年美國柯達(dá)公司的鄧青云博士等發(fā)明的三明治型OLED器件,則宣告了OLED這一技術(shù)開始向?qū)嶓w化、商業(yè)化的方向發(fā)展。而OLED也憑借著自身低耗、輕薄、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn),以及在平面顯示與固態(tài)照明中表現(xiàn)出的巨大潛力成為了近些年研究的熱點(diǎn)。這其中,白光OLED又以其健康柔和的室內(nèi)照明光源這一用途得到了廣泛的關(guān)注。然而,自1994年Junji Kido等首次報(bào)道白光OLED至今,人們還未有效解決白光OLED器件高效與高顯色指數(shù)無法兼顧的問題,這個(gè)問題極大地制約了白光OLED的發(fā)展。除此以外,目前所發(fā)明的白光OLED器件,其中大多用到了含有貴金屬的磷光材料,并采用真空蒸鍍的制備方法,這樣的制備手段無疑會使生產(chǎn)工序復(fù)雜化并帶來巨大的成本投入,不利于白光OLED的商業(yè)化之路。就白光OLED器件,目前普遍認(rèn)為的最重要的三個(gè)參數(shù)是效率、顯色指數(shù)和壽命,但目前同時(shí)存在著互補(bǔ)白光光譜覆蓋不夠?qū)拰?dǎo)致顯色指數(shù)低,多元共混白光體系能量轉(zhuǎn)移過程難以控制導(dǎo)致效率低的問題。針對這一矛盾,本發(fā)明首次成功在溶液加工型器件中使用多熱活化延遲熒光敏化傳統(tǒng)熒光的技術(shù),通過調(diào)控紅、黃、藍(lán)三光色材料的摻雜濃度比例,精確控制了多熱活化延遲熒光材料與傳統(tǒng)熒光材料之間的能量轉(zhuǎn)移過程,在器件電致發(fā)光光譜實(shí)現(xiàn)寬覆蓋的同時(shí)達(dá)到了很高的效率。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的問題,本發(fā)明的目的是提供一種溶液加工型全熒光白光有機(jī)發(fā)光二極管器件及其制備方法。
本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。
一種溶液加工型全熒光白光有機(jī)發(fā)光二極管器件,該器件結(jié)構(gòu)依次包括:襯底、陽極、空穴注入層、緩沖層、發(fā)光層(使用多熱活化延遲熒光敏化傳統(tǒng)熒光的技術(shù))、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
優(yōu)選的,所述襯底的材料包括玻璃、石英、藍(lán)寶石、聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯對苯二酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、金屬、合金或不銹鋼膜。
所述陽極和陰極為金屬、金屬氧化物、聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)或聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)衍生物。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述金屬包括鋁、銀、金或銀鎂合金;所屬金屬氧化物是指氧化銦錫、摻氟二氧化錫、氧化鋅和銦鎵鋅氧化物中的一種或兩種以上的組合。
優(yōu)選的,所述空穴注入層與緩沖層為單層,或加入電子、激子阻擋層的多層;所述空穴阻擋層與電子傳輸層為單層,或加入空穴、激子阻擋層的多層。
優(yōu)選的,所述空穴注入層為聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸);所述緩沖層為聚乙烯基咔唑或4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]環(huán)己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺。
優(yōu)選的,所述空穴阻擋層為二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚;所述電子傳輸層為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三聯(lián)苯]-3,3”-二基]二吡啶;所述電子注入層為氟化鋰或氟化銫。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





