[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201910295434.1
• 申請日: 2019-04-12
• 公開（公告）號: CN111816563A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括器件密集區和器件稀疏區，且所述襯底上形成有鰭部；

在所述襯底上形成偽柵結構，所述偽柵結構橫跨所述鰭部；

在所述器件密集區的所述偽柵結構兩側的所述鰭部內形成第一溝槽，同時在所述器件稀疏區的所述偽柵結構兩側的所述鰭部內形成第二溝槽；

在所述第一溝槽和所述第二溝槽內形成第一應力層；

在所述偽柵結構的側壁上形成犧牲側墻；

在所述第二溝槽的所述第一應力層上形成第二應力層；

去除所述犧牲側墻。

2.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述器件密集區，所述犧牲側墻覆蓋所述第一溝槽內的所述第一應力層。

3.如權利要求2所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲側墻的材料包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、碳氮化硅中的一種或者多種。

4.如權利要求1所述半導體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二應力層采用的方法為外延生長法，在形成所述第二應力層的外延生長法中，工藝溫度為500～800℃、反應室壓強為1～100托、反應氣體為硅烷。

5.一種采用權利要求1至4任一項方法所形成的半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括器件密集區和器件稀疏區；

鰭部，位于所述襯底上；

偽柵結構，位于所述襯底上，橫跨所述鰭部；

第一溝槽，位于所述器件密集區的所述偽柵結構兩側的所述鰭部內；

第二溝槽，位于所述器件稀疏區的所述偽柵結構兩側的所述鰭部內；

第一應力層，位于所述第一溝槽和所述第二溝槽內；

第二應力層，位于所述第二溝槽內的所述第一應力層上。

6.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括，

提供襯底，所述襯底包括器件密集區和器件稀疏區，且所述襯底上形成有鰭部；

在所述襯底上形成偽柵結構，所述偽柵結構橫跨所述鰭部；

在所述器件密集區的所述偽柵結構兩側的所述鰭部內形成第一溝槽，同時在所述器件稀疏區的所述偽柵結構兩側的所述鰭部內形成第二溝槽；

在所述器件密集區的所述偽柵結構的側壁上形成犧牲側墻；

在所述第二溝槽內形成第二應力層；

去除所述犧牲側墻；

在所述第一溝槽內、所述第二應力層上形成第一應力層。

7.如權利要求6所述半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述器件密集區，所述犧牲側墻覆蓋所述第一溝槽。

8.如權利要求6所述半導體器件的形成方法，其特征在于，當所述半導體器件為POMS器件，形成所述第二應力層采用的方法為外延生長法，在形成所述第二應力層的外延生長法中，工藝溫度為500～800℃、反應室壓強為1～100托、反應氣體包括硅烷和鍺化氫氣體。

9.如權利要求6所述半導體器件的形成方法，其特征在于，當所述半導體器件為NOMS器件，形成所述第二應力層采用的方法為外延生長法，在形成所述第二應力層的外延生長法中，工藝溫度為500～800℃、反應室壓強為1～100托、反應氣體包括硅烷和磷化氫氣體。

10.一種采用權利要求6至9任一項方法所形成的半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括器件密集區和器件稀疏區；

鰭部，位于所述襯底上；

偽柵結構，位于所述襯底上，橫跨所述鰭部；

第一溝槽，位于所述器件密集區的所述偽柵結構兩側的所述鰭部內；

第二溝槽，位于所述器件稀疏區的所述偽柵結構兩側的所述鰭部內；

第二應力層，位于所述第二溝槽內；

第一應力層，位于所述第一溝槽內和所述第二應力層上。