[發明專利]NAND閃存的垃圾回收方法及NAND閃存有效
| 申請號： | 201910295427.1 | 申請日： | 2019-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN110134616B | 公開（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發明（設計）人： | 李創鋒;李嘉倫 | 申請（專利權）人： | 深圳市金泰克半導體有限公司 |
| 主分類號： | G06F12/02 | 分類號： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481 | 代理人： | 田俊峰 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市坪*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nand 閃存 垃圾 回收 方法 | ||
1.一種NAND閃存的垃圾回收方法，其特征在于，
所述NAND閃存的待回收數據塊分為多個待讀取子數據塊，每個待讀取子數據塊與一個通道相對應，每個待讀取子數據塊中存儲著有效數據或無效數據，不同待回收數據塊的同一位置的待讀取子數據塊對應相同的通道；
所述NAND閃存包括：
多個SRAM，每個SRAM與一個所述通道相對應，用于讀取對應通道的待讀取子數據塊的數據，
控制器，用于控制所述SRAM對數據的讀/寫；
所述垃圾回收方法包括：
所述每個SRAM同時讀取對應通道的待讀取子數據塊的有效數據；
所述每個SRAM同時讀取對應通道的待讀取子數據塊的有效數據，包括：
所述控制器判斷所述通道對應的當前待讀取子數據塊中是否為有效數據，
若當前待讀取子數據塊中為有效數據，則所述SRAM讀取對應通道的當前待讀取子數據塊中的有效數據，
若當前待讀取子數據塊中為無效數據，則所述控制器判斷對應通道的下一個待讀取子數據塊中的數據是否為有效數據，
若所述下一個待讀取子數據塊中的數據為有效數據，則讀取下一個待讀取子數據塊中的有效數據；
所述SRAM將讀取到的有效數據存儲在閑置數據塊中；
所述待回收數據塊中的有效數據被讀取后，所述待回收數據塊被清除，成為閑置數據塊。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述每個SRAM在同一個回收周期內讀取有效數據。
3.一種NAND閃存，其特征在于，所述NAND閃存的待回收數據塊分為多個待讀取子數據塊，每個待讀取子數據塊與一個通道相對應，每個待讀取子數據塊中存儲著有效數據或無效數據，不同待回收數據塊的同一位置的待讀取子數據塊對應相同的通道；
所述NAND閃存包括：
多個SRAM，每個SRAM與一個所述通道相對應，用于讀取對應通道的待讀取子數據塊的數據，
控制器，用于控制所述SRAM對數據的讀/寫；
所述NAND閃存中，所述每個SRAM同時讀取對應通道的待讀取子數據塊的有效數據；
所述每個SRAM同時讀取對應通道的待讀取子數據塊的有效數據，包括：
所述控制器判斷所述通道對應的當前待讀取子數據塊中是否為有效數據，
若當前待讀取子數據塊中為有效數據，則所述SRAM讀取對應通道的當前待讀取子數據塊中的有效數據，
若當前待讀取子數據塊中為無效數據，則所述控制器判斷對應通道的下一個待讀取子數據塊中的數據是否為有效數據，
若所述下一個待讀取子數據塊中的數據為有效數據，則讀取下一個待讀取子數據塊中的有效數據；
所述SRAM將讀取到的有效數據存儲在閑置數據塊中；
所述待回收數據塊中的有效數據被讀取后，所述待回收數據塊被清除，成為閑置數據塊。
4.如權利要求3所述的NAND閃存，其特征在于，所述每個SRAM在同一個回收周期內讀取有效數據。
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