[發(fā)明專利]一種基于重金屬調控自旋注入端的自旋發(fā)光二極管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910294416.1 | 申請日： | 2019-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN110085717A | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田亞文;孫華偉;程路明;肖燦;徐家偉;王瑞龍;楊昌平;梁世恒 | 申請（專利權）人： | 湖北大學 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 武漢河山金堂專利事務所(普通合伙) 42212 | 代理人： | 胡清堂 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 自旋 自旋發(fā)光二極管 重金屬層 鐵磁材料層 調控 勢壘層 注入端 重金屬 磁矩 轉矩 磁場調控 極化狀態(tài) 技術利用 施加電流 依次層疊 自旋電子 磁性層 構件層 自旋態(tài) 翻轉 襯底 軌道 可控 元器件 調制 能耗 發(fā)光 垂直 | ||
1.一種基于重金屬調控自旋注入端的自旋發(fā)光二極管，其特征在于，所述自旋發(fā)光二極管由依次層疊的襯底、LED構件層、勢壘層、鐵磁材料層和重金屬層構成。
2.根據權利要求1所述的一種基于重金屬調控自旋注入端的自旋發(fā)光二極管，其特征在于，所述襯底為GaAs、Si、SiO2/Si、云母、石英或藍寶石中的一種。
3.根據權利要求2所述的一種基于重金屬調控自旋注入端的自旋發(fā)光二極管，其特征在于，所述襯底為GaAs。
4.根據權利要求1所述的一種基于重金屬調控自旋注入端的自旋發(fā)光二極管，其特征在于，所述LED構建層由依次層疊的P型GaAs緩沖區(qū)、P型GaAs層或P型AlGaAs層、I型GaAs層或I型AlGaAs層、I型InGaAs量子阱層、I型GaAs層和N型GaAs層構成。
5.根據權利要求1所述的一種基于重金屬調控自旋注入端的自旋發(fā)光二極管，其特征在于，所述勢壘層為MgO或Al-O，厚度為1-3nm。
6.根據權利要求1所述的一種基于重金屬調控自旋注入端的自旋發(fā)光二極管，其特征在于，所述鐵磁材料層為具有垂直磁各向異性的CoFeB合金、[Co-Ni]多層膜、Co-Tb合金或Co-Gd合金，厚度為0.8-3nm。
7.根據權利要求1所述的一種基于重金屬調控自旋注入端的自旋發(fā)光二極管，其特征在于，所述重金屬層為Pt、Ta、Mo、Pt-Au、Pt-Cu或Ta-Au，厚度為1-10nm。
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