[發(fā)明專利]一種熒光體化合物、及其制備方法和組合物

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910293121.2
• 申請日: 2019-04-12
• 公開（公告）號: CN111808608A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧華;朱洪維;豆帆
• 申請（專利權(quán)）人: 煙臺(tái)布萊特光電材料有限公司
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;C09K11/86
• 代理公司: 北京市英智偉誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11521
• 代理人: 劉丹妮

1.一種熒光體化合物，其特征在于，所述熒光體化合物的組成為以下通式所示：k(M1_0.04-aM2_aN_bO_cR_d)·X1_eN_f：mRe/uX2·vX3，其中：

M1選自Si、Ge、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、W、Mo中的至少一種元素，M2選自B、Al、Ga、In、Tl中的至少一種元素，N為氮元素，O為氧元素，R選自F^-、Cl^-、Br^-、I^-中的至少一種元素離子，Re選自Eu、Ce、Nd、Dy、Ho、Tm、Er、Pr、Bi、Sm、Tb、Mn中的至少一種元素，X1選自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Lu、La、Y、Gd中的至少一種元素，X2選自Li、Na、K、Rb、Cs中的至少一種元素，X3選自Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg中的至少一種元素；

k、a、b、c、d、e、f、m、u、v為摩爾系數(shù)：0.3＜k＜2.2，0≤a＜0.03，0.045＜b＜0.075，0≤c＜0.055，0＜d＜0.002，0≤e＜0.025，0≤f＜0.025，0＜m＜0.025，0＜u＜0.002，0＜v＜0.002；

優(yōu)選地，所述熒光體化合物的結(jié)構(gòu)為[Si,Al][O,N]4四面體三維共角頂形成的結(jié)構(gòu)，且所述四面體通道中存在堿金屬離子、堿土金屬離子和過渡金屬離子；

更優(yōu)選地，所述熒光體化合物被發(fā)射峰值波長在250～550nm范圍內(nèi)的紫外－藍(lán)綠光激發(fā)后，發(fā)射出峰值波長在450～700nm范圍內(nèi)的一個(gè)或一個(gè)以上峰值的發(fā)光光譜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體化合物，其特征在于，0.8＜k＜1.2，0＜a＜0.025，0.045＜b＜0.055，0≤c＜0.005，0＜d＜0.0015且0.045＜b+c+d＜0.062，e＝0，f＝0，0＜m＜0.0015，0＜u＜0.002，0＜v＜0.002；

優(yōu)選地，所述M1為Si，M2為Al，N為N，O為O，R選自F^-、Cl^-中的至少一種元素離子，Re選自Eu或Ce，X2選自Li、Na、K中的至少一種元素，X3選自Ag、Zn中的至少一種元素；和/或

優(yōu)選地，0.95≤k≤1.05，0.001≤a≤0.02，0.052≤b≤0.054，0≤c≤0.0035，0＜d≤0.0013且0.052＜b+c+d≤0.0588，e＝0，f＝0，0＜m≤0.0013，0＜u≤0.001，0＜v≤0.001。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體化合物，其特征在于，1.8＜k＜2.2，0＜a＜0.025，0.045＜b＜0.055，0≤c＜0.005，0＜d＜0.002且0.05＜b+c+d＜0.055，0＜e＜0.015，0＜f＜0.01，0＜m＜0.0035，0＜u＜0.002，0＜v＜0.002；

優(yōu)選地，所述M1選自Si，M2為Al，N為N，O為O，R選自F^-、Cl^-中的至少一種元素離子，Re選自Eu或Ce，X1為Mg、Ca、Sr、La、Y中的至少一種元素，X2選自Li、Na、K中的至少一種元素，X3選自Ag、Zn中的至少一種元素；和/或

優(yōu)選地，1.95≤k≤2.05，0.0005≤a≤0.02，0.052≤b≤0.054，0≤c≤0.0033，0＜d≤0.0017且0.052＜b+c+d≤0.059，0＜e≤0.0133，0＜f≤0.0089，0＜m≤0.0033，0＜u≤0.0013，0＜v≤0.0013。