[發明專利]富氧膜的制造方法在審
| 申請號： | 201910292410.0 | 申請日： | 2019-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN110559810A | 公開（公告）日： | 2019-12-13 |
| 發明（設計）人： | 富田篤志;品川英司;小林大謹;中野太陽 | 申請（專利權）人： | 東芝生活電器株式會社 |
| 主分類號： | B01D53/22 | 分類號： | B01D53/22;B01D71/70;F25D23/12 |
| 代理公司： | 72002 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 張楠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機硅系 中間層 多孔質基材 氣體分離層 交聯反應 富氧膜 制造 氣體分離能力 中間層組合物 硅氧烷鍵 儲藏庫 用溶劑 劣化 稀釋 制備 | ||
1.一種富氧膜的制造方法，其是至少具有氣體分離層、支撐所述氣體分離層的多孔質基材層和位于所述氣體分離層與所述多孔質基材層之間的中間層的富氧膜的制造方法，所述制造方法具有下述工序：
將具有硅氧烷鍵的化合物用溶劑進行稀釋，制備有機硅系組合物的工序；
使所述有機硅系組合物發生交聯反應的工序；
通過在所述多孔質基材層上涂布中間層組合物而層疊中間層的工序；和
通過在所述中間層上涂布交聯反應后的所述有機硅系組合物而層疊氣體分離層的工序。
2.根據權利要求1所述的富氧膜的制造方法，其特征在于，通過所述交聯反應，將所述有機硅系組合物的25℃下的粘度調整為1Pa·s～50Pa·s。
3.根據權利要求1或2所述的富氧膜的制造方法，其特征在于，所述交聯反應是利用選自由常溫固化、加熱固化、能量射線固化及電子射線固化構成的組中的1種方法或將2種以上組合而得到的方法的交聯反應。
4.根據權利要求1或2所述的富氧膜的制造方法，其中，所述中間層由聚(1-三甲基甲硅烷基-1-丙炔)形成。
5.根據權利要求3所述的富氧膜的制造方法，其中，所述中間層由聚(1-三甲基甲硅烷基-1-丙炔)形成。
6.根據權利要求1或2所述的富氧膜的制造方法，其中，所述多孔質基材層的平均孔徑為0.001μm～1μm。
7.根據權利要求3所述的富氧膜的制造方法，其中，所述多孔質基材層的平均孔徑為0.001μm～1μm。
8.根據權利要求4所述的富氧膜的制造方法，其中，所述多孔質基材層的平均孔徑為0.001μm～1μm。
9.根據權利要求5所述的富氧膜的制造方法，其中，所述多孔質基材層的平均孔徑為0.001μm～1μm。
10.一種儲藏庫的制造方法，其是使用通過權利要求1～9中任一項所述的制造方法而得到的富氧膜來制作的。
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